A teljesítmény MOSFET szerkezetének megértése
A teljesítmény-MOSFET-ek a modern teljesítményelektronika kulcsfontosságú összetevői, amelyeket a magas feszültségek és áramok kezelésére terveztek. Fedezzük fel egyedi szerkezeti jellemzőiket, amelyek hatékony energiakezelési képességeket tesznek lehetővé.
Az alapvető szerkezet áttekintése
Forrás Fém ║ ╔═══╩═══╗ ║ n+ ║ n+ ║ Forrás ════╝ ╚════ p+ p Régió ══ p+ p Test ││││ ════════════════ n+ szubsztrát ║ ╨ Drain Metal
Függőleges szerkezet
A hagyományos MOSFET-ekkel ellentétben a teljesítmény-MOSFET-ek függőleges struktúrát alkalmaznak, ahol az áram felülről (forrás) lefelé (elvezetés) folyik, maximalizálva az áramkezelési kapacitást.
Drift régió
Enyhén adalékolt n-régiót tartalmaz, amely támogatja a magas blokkolófeszültséget és kezeli az elektromos téreloszlást.
Főbb szerkezeti elemek
- Forrás fém:Felső fémréteg az áramfelvételhez és -elosztáshoz
- n+ forrás régiók:Erősen adalékolt területek hordozó injekcióhoz
- p-test régió:Csatornát hoz létre az aktuális áramláshoz
- n- Drift régió:Támogatja a feszültségblokkoló képességet
- n+ szubsztrát:Alacsony ellenállású utat biztosít a lefolyáshoz
- Lefolyó fém:Alsó fém érintkező az áramáramláshoz