Nagy teljesítményű MOSFET meghajtó áramkör gyártási módja

Két fő megoldás létezik:

Az egyik az, hogy dedikált meghajtó chipet használnak a MOSFET meghajtására, vagy gyors fotocsatolók használata, a tranzisztorok alkotják a MOSFET meghajtására szolgáló áramkört, de az első típusú megközelítés független tápegység biztosítását igényli; sürgős szükség van a másik típusú impulzustranszformátorra a MOSFET meghajtására, és az impulzusmeghajtó áramkörben, hogyan lehet javítani a meghajtó áramkör kapcsolási frekvenciáját a hajtási kapacitás növelése érdekében, amennyire csak lehetséges, az alkatrészek számának csökkentése érdekében megoldani aaktuális problémák.

Az első típusú hajtásrendszer, a félhíd két független tápegységet igényel; A teljes hídhoz három független tápegységre van szükség, mind a félhídra, mind a teljes hídra, túl sok alkatrész, ami nem segíti elő a költségcsökkentést.

A második típusú vezetési program, és a szabadalom a legközelebbi technika állásához a "nagy teljesítményű" találmány elnevezéséhezMOSFET meghajtó áramkör" szabadalom (200720309534. 8 számú bejelentés), a szabadalom csak kisülési ellenállást ad hozzá a nagy teljesítményű MOSFET-töltés kapuforrásának felszabadításához, a leállítás céljának eléréséhez, a PWM jel lefutó éle nagy. a PWM jel leeső éle nagy, ami a MOSFET lassú leállásához vezet, az áramveszteség nagyon nagy;

Ezen túlmenően, a szabadalmi program MOSFET munkája érzékeny az interferenciára, és a PWM vezérlő chipnek nagy kimeneti teljesítménnyel kell rendelkeznie, így a chip hőmérséklete magas, ami befolyásolja a chip élettartamát. A találmány tartalma Ennek a használati modellnek az a célja, hogy nagy teljesítményű MOSFET meghajtó áramkört biztosítson, stabilabban működjön és nulla, hogy elérje a jelen használati modell találmány szerinti műszaki megoldás célját - egy nagy teljesítményű MOSFET meghajtó áramkört, a jelkimenetet a PWM vezérlő chip az elsődleges impulzustranszformátorhoz csatlakozik, a első kimenet oha a szekunder impulzus transzformátor az első MOSFET kapuhoz, a szekunder impulzus transzformátor második kimenete az első MOSFET kapuhoz, a szekunder impulzus transzformátor második kimenete az első MOSFET kapuhoz csatlakozik. Az impulzustranszformátor szekunder első kimenete az első MOSFET kapujához, az impulzustranszformátor szekunder második kimenete a második MOSFET kapujához csatlakozik, azzal jellemezve, hogy az impulzustranszformátor szekunder kimenetének első kimenete is be van kötve. az első kisülési tranzisztorhoz, és az impulzustranszformátor szekunder kimenete is a második kisülési tranzisztorhoz csatlakozik. Az impulzustranszformátor primer oldala egy energiatároló és -kioldó áramkörhöz is kapcsolódik.

Az energiatároló kioldó áramkör egy ellenállást, egy kondenzátort és egy diódát tartalmaz, az ellenállás és a kondenzátor párhuzamosan, az előbb említett párhuzamos áramkör pedig sorba van kötve a diódával. A használati modellnek jótékony hatása van A használati modellnek van egy első kisülési tranzisztorja is, amely a transzformátor szekunder első kimenetére csatlakozik, és egy második kisülési tranzisztor csatlakozik az impulzustranszformátor második kimenetéhez, így amikor az impulzustranszformátor alacsony kimenetet ad. szinten, az első MOSFET és a második MOSFET gyorsan kisüthető a MOSFET leállási sebességének javítása és a MOSFET veszteség csökkentése érdekében. A PWM vezérlő chip jele a jelhez kapcsolódik erősítő MOSFET az elsődleges kimenet és az impulzustranszformátor primer között, amely jelerősítésre használható. A PWM vezérlőchip jelkimenete és az elsődleges impulzustranszformátor MOSFET-re van kötve jelerősítés céljából, ami tovább javíthatja a PWM jel vezetési képességét.

A primer impulzustranszformátor egy energiatároló kioldó áramkörhöz is csatlakozik, amikor a PWM jel alacsony szinten van, az energiatároló kioldó áramkör felszabadítja az impulzustranszformátorban tárolt energiát, amikor a PWM magas szinten van, biztosítva, hogy a kapu Az első MOSFET és a második MOSFET forrása rendkívül alacsony, ami szerepet játszik az interferencia megelőzésében.

Egy speciális megvalósításban a PWM vezérlőchip A jelkimeneti kapcsa és a Tl impulzustranszformátor primer csatlakozója közé egy kis teljesítményű MOSFET Q1 jelerősítésre van kötve, az impulzustranszformátor szekunder csatlakozójának első kimenete az első MOSFET Q4 kapuja a D1 diódán és az Rl meghajtó ellenálláson keresztül, az impulzustranszformátor szekunder kimenetének második kimenete a második MOSFET kapujához van kötve A Q5 a D2 diódán és az R2 meghajtó ellenálláson keresztül, valamint az impulzustranszformátor szekunder csatlakozójának első kimeneti kivezetése szintén a Q2 első dréntriódához, valamint a Q3 második dréntriódához szintén a Q3 második dréntriódához csatlakozik. A MOSFET Q5, az impulzustranszformátor másodlagos első kimeneti kapcsa szintén egy első Q2 leeresztő tranzisztorhoz, és az impulzustranszformátor másodlagos második kimeneti kapcsa szintén egy második Q3 leeresztő tranzisztorhoz csatlakozik.

Az első MOSFET Q4 kapuja egy R3 leeresztő ellenálláshoz, a második MOSFET Q5 kapuja pedig egy R4 leeresztő ellenálláshoz csatlakozik. a Tl impulzustranszformátor primerje szintén egy energiatároló és -kioldó áramkörhöz csatlakozik, az energiatároló és -kioldó áramkör pedig egy R5 ellenállást, egy Cl kondenzátort és egy D3 diódát, valamint az R5 ellenállást és a Cl kondenzátort tartalmazza. párhuzamos, és a fent említett párhuzamos áramkör sorba van kötve a D3 diódával. a PWM vezérlőchip PWM jelkimenete a kis teljesítményű MOSFET Q2-re, a kis teljesítményű MOSFET Q2 pedig az impulzustranszformátor szekunder csatlakozójára csatlakozik. erősíti a kis teljesítményű MOSFET Ql és a kimenet a Tl impulzustranszformátor primerre. Ha a PWM jel magas, a Tl impulzustranszformátor szekunder csatlakozójának első kimeneti kapcsa és második kimeneti kapcsa magas szintű jeleket ad ki az első MOSFET Q4 és a második MOSFET Q5 vezetésére.

Ha a PWM jel alacsony, a Tl impulzustranszformátor első kimenete és második kimenete alacsony szintű jeleket ad le, az első Q2 leeresztő tranzisztor és a második leeresztő tranzisztor Q3 vezet, az első MOSFETQ4 kapuforrás kapacitása az R3 leeresztő ellenálláson keresztül, az első Q2 leeresztő tranzisztor kisütéshez, a második MOSFETQ5 kapuforrás kapacitása az R4 leeresztő ellenálláson keresztül, a második leeresztő tranzisztor Q3 a kisütéshez, a második MOSFETQ5 kapuforrás kapacitása az R4 leeresztő ellenálláson keresztül, a második leeresztő tranzisztor Q3 a kisütéshez, a második MOSFETQ5 kapuforrás kapacitása az R4 leeresztő ellenálláson keresztül, a második levezető tranzisztor Q3 a kisütéshez. A második MOSFETQ5 kapuforrás kapacitása az R4 leeresztő ellenálláson és a második Q3 leeresztő tranzisztoron keresztül kisütődik, így az első MOSFET Q4 és a második MOSFET Q5 gyorsabban kikapcsolható és a teljesítményveszteség csökkenthető.

Ha a PWM jel alacsony, az R5 ellenállásból, a Cl kondenzátorból és a D3 diódából álló tárolt energia kioldó áramkör felszabadítja az impulzustranszformátorban tárolt energiát, amikor a PWM magas, biztosítva, hogy az első MOSFET Q4 és a második MOSFET kapuforrása. A Q5 rendkívül alacsony, ami az interferencia-elhárítás célját szolgálja. A Dl dióda és a D2 dióda egyirányúan vezeti a kimenő áramot, így biztosítva a PWM hullámforma minőségét, ugyanakkor bizonyos mértékig az interferencia-elhárító szerepet is betölti.