Az áramkör-tervezőknek a MOSFET-ek kiválasztásakor figyelembe kellett venniük a következő kérdést: P-csatornás MOSFET-et vagy N-csatornás MOSFET-et válasszanak? Gyártóként azt akarja, hogy termékei alacsonyabb áron versenyezzenek más kereskedőkkel, és ismételt összehasonlításokat is kell végeznie. Szóval hogyan válassz? Az OLUKEY, egy 20 éves tapasztalattal rendelkező MOSFET gyártó szeretné megosztani Önnel.
1. különbség: vezetési jellemzők
Az N-csatornás MOS jellemzői, hogy akkor kapcsol be, ha a Vgs egy bizonyos értéknél nagyobb. Alkalmas akkor is, ha a forrás földelt (alacsony végű hajtás), mindaddig, amíg a kapufeszültség eléri a 4V-ot vagy a 10V-ot. Ami a P-csatornás MOS jellemzőit illeti, akkor kapcsol be, ha a Vgs egy bizonyos értéknél kisebb, ami alkalmas olyan helyzetekre, amikor a forrás VCC-hez (high-end drive) csatlakozik.
2. különbség:MOSFETkapcsolási veszteség
Legyen szó N-csatornás MOS-ról vagy P-csatornás MOS-ról, bekapcsolás után van egy bekapcsolási ellenállás, így az áram ezen az ellenálláson fogyaszt energiát. Az elfogyasztott energia ezen részét vezetési veszteségnek nevezzük. Kis bekapcsolási ellenállású MOSFET választása csökkenti a vezetési veszteséget, és a jelenlegi kis teljesítményű MOSFET-ek bekapcsolási ellenállása általában tíz milliohm körül van, és több milliohm is van. Ezenkívül a MOS be- és kikapcsolásakor nem szabad azonnal befejeződnie. Van egy csökkenő folyamat, és az átfolyó áramnak is van egy növekvő folyamata.
Ebben az időszakban a MOSFET vesztesége a feszültség és az áram szorzata, az úgynevezett kapcsolási veszteség. Általában a kapcsolási veszteségek sokkal nagyobbak, mint a vezetési veszteségek, és minél nagyobb a kapcsolási frekvencia, annál nagyobb a veszteség. A feszültség és áram szorzata a vezetés pillanatában nagyon nagy, és az okozott veszteség is nagyon nagy, így a kapcsolási idő lerövidítése csökkenti az egyes vezetési veszteségeket; a kapcsolási frekvencia csökkentése csökkentheti az egységnyi időre eső kapcsolások számát.
Három különbség: MOSFET használat
A P-csatornás MOSFET lyukmobilitása kicsi, így ha a MOSFET geometriai mérete és az üzemi feszültség abszolút értéke egyenlő, akkor a P-csatornás MOSFET transzkonduktanciája kisebb, mint az N-csatornás MOSFET-é. Ezenkívül a P-csatornás MOSFET küszöbfeszültségének abszolút értéke viszonylag magas, ezért magasabb üzemi feszültséget igényel. A P-csatornás MOS nagy logikai kilengéssel, hosszú töltési és kisütési folyamattal, valamint kis eszköztranszkonduktivitással rendelkezik, így működési sebessége alacsonyabb. Az N-csatornás MOSFET megjelenése után legtöbbjüket az N-csatornás MOSFET váltotta fel. Mivel azonban a P-csatornás MOSFET eljárása egyszerű és olcsó, néhány közepes és kis méretű digitális vezérlőáramkör továbbra is PMOS áramköri technológiát használ.
Oké, ennyi az OLUKEY, a csomagolás MOSFET gyártója mai megosztásához. További információkért megtalál minket aOLUKEYhivatalos weboldal. Az OLUKEY 20 éve a MOSFET-re összpontosít, és központja Shenzhenben, Guangdong tartományban, Kínában található. Főleg nagy áramerősségű térhatású tranzisztorokkal, nagy teljesítményű MOSFET-ekkel, nagycsomagos MOSFET-ekkel, kisfeszültségű MOSFET-ekkel, kis méretű MOSFET-ekkel, kisáramú MOSFET-ekkel, MOS térhatású csövekkel, csomagolt MOSFET-ekkel, teljesítmény-MOS-okkal, MOSFET-csomagokkal, eredeti MOSFET-ekkel, csomagolt MOSFET-ekkel stb. A fő ügynök termék a WINSOK.
Feladás időpontja: 2023. december 17
