Mint az egyik legalapvetőbb eszköz a félvezető területen, a MOSFET széles körben használatos mind az IC-tervezésben, mind a kártyaszintű áramköri alkalmazásokban. Mennyit tud tehát a MOSFET különféle paramétereiről? A közép- és kisfeszültségű MOSFET-ek szakértőjekéntOlukeyrészletesen elmagyarázza Önnek a MOSFET-ek különféle paramétereit!
VDSS maximális lefolyóforrás ellenállási feszültség
A lefolyóforrás feszültsége, amikor az átfolyó leeresztőáram elér egy meghatározott értéket (élesen megugrik) egy adott hőmérsékleten és a kapu-forrás rövidzárlatán. A lefolyóforrás feszültségét ebben az esetben lavina-letörési feszültségnek is nevezik. A VDSS pozitív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik. -50 °C-on a VDSS körülbelül 90%-a a 25 °C-osnak. A normál termelésben általában hagyott ráhagyás miatt a lavinaletörési feszültség aMOSFETmindig nagyobb, mint a névleges névleges feszültség.
Olukey meleg emlékeztetője: A termék megbízhatóságának biztosítása érdekében a legrosszabb munkakörülmények között javasolt, hogy az üzemi feszültség ne haladja meg a névleges érték 80-90%-át.
VGSS maximális kapuforrás ellenállási feszültség
A VGS értékre utal, amikor a kapu és a forrás közötti ellenáram élesen növekedni kezd. Ennek a feszültségértéknek a túllépése a gate oxid réteg dielektromos tönkremenetelét okozza, ami romboló és visszafordíthatatlan törés.
ID maximális lefolyóforrás áram
Arra a maximális áramra utal, amely áthaladhat a lefolyó és a forrás között, amikor a térhatású tranzisztor normálisan működik. A MOSFET üzemi árama nem haladhatja meg az ID-t. Ez a paraméter csökken a csomópont hőmérsékletének növekedésével.
IDM maximális impulzus leeresztő forrás áram
Az impulzusáram szintjét tükrözi, amelyet a készülék képes kezelni. Ez a paraméter a csomópont hőmérsékletének növekedésével csökken. Ha ez a paraméter túl kicsi, fennáll annak a veszélye, hogy az OCP-teszt során a rendszer az áram miatt meghibásodik.
PD maximális teljesítmény disszipáció
Ez az elvezető forrás maximális teljesítménydisszipációjára vonatkozik, anélkül, hogy a térhatású tranzisztor teljesítménye romlana. Használatkor a térhatású tranzisztor tényleges energiafogyasztásának kisebbnek kell lennie, mint a PDSM-é, és hagynia kell egy bizonyos tartalékot. Ez a paraméter általában csökken a csomópont hőmérsékletének növekedésével.
TJ, TSTG üzemi hőmérséklet és tárolási környezet hőmérsékleti tartomány
Ez a két paraméter az eszköz működési és tárolási környezete által megengedett csatlakozási hőmérséklet-tartományt kalibrálja. Ez a hőmérséklet-tartomány úgy van beállítva, hogy megfeleljen a készülék minimális élettartamra vonatkozó követelményeinek. Ha a készülék ebben a hőmérsékleti tartományban működik, akkor élettartama jelentősen meghosszabbodik.
Feladás időpontja: 2023. december 15
