A kristálytranzisztor fém-oxid-félvezető szerkezete, közismert nevénMOSFET, ahol a MOSFET-eket P-típusú MOSFET-ekre és N-típusú MOSFET-ekre osztják. A MOSFET-ekből álló integrált áramköröket MOSFET integrált áramköröknek is nevezik, a szorosan kapcsolódó MOSFET integrált áramköröket pedig PMOSFET-ekből ésNMOSFET-ek CMOSFET integrált áramköröknek nevezzük.
A p-típusú szubsztrátumból és két nagy koncentrációjú n-szórási területből álló MOSFET-et n-csatornának nevezzük.MOSFET, és az n-típusú vezető csatorna által okozott vezetőképes csatornát a két n-es terjedési útvonalban lévő n-es terjedési utak okozzák, amelyek nagy koncentrációjúak, amikor a cső vezet. Az n-csatornás megvastagított MOSFET-eknél az n-csatornát egy vezető csatorna okozza, ha a pozitív irányú előfeszítést a lehető legnagyobb mértékben megnöveljük a kapunál, és csak akkor, ha a kapuforrás működéséhez a küszöbfeszültséget meghaladó üzemi feszültségre van szükség. Az n-csatornás kimerülésű MOSFET-ek azok, amelyek nem állnak készen a kapufeszültségre (a kapuforrás működéséhez nulla üzemi feszültség szükséges). Az n-csatornás fénykimerülési MOSFET egy n-csatornás MOSFET, amelyben a vezető csatorna akkor keletkezik, ha a kapufeszültség (a kapuforrás működési követelményének üzemi feszültsége nulla) nincs előkészítve.
Az NMOSFET integrált áramkörök N-csatornás MOSFET tápegységek, NMOSFET integrált áramkörök, a bemeneti ellenállás nagyon nagy, a túlnyomó többségnek nem kell megemésztenie az áramfelvételt, így a CMOSFET és NMOSFET integrált áramkörök csatlakoztathatók anélkül, hogy a figyelembe kell venni az energiaáramlás terhelését.NMOSFET integrált áramkörök, az egycsoportos pozitív kapcsolóüzemű tápegységek választékának túlnyomó többsége tápegység áramkörök Az NMOSFET integrált áramkörök többsége egyetlen pozitív kapcsolóüzemű tápegység áramkört használ, és 9V többért. A CMOSFET integrált áramköröknek csak ugyanazt a kapcsolóüzemű tápegység áramkört kell használniuk, mint az NMOSFET integrált áramköröknek, azonnal csatlakoztathatók az NMOSFET integrált áramkörökhöz. Azonban az NMOSFET-ről a CMOSFET-re azonnal csatlakozik, mivel az NMOSFET kimeneti felhúzási ellenállása kisebb, mint a CMOSFET integrált áramkör kulcsos felhúzási ellenállása, ezért próbáljon meg egy potenciálkülönbség-felhúzó ellenállást alkalmazni, az R ellenállás értéke általában 2-100 KΩ.
N-csatornás vastagított MOSFET-ek felépítése
Egy alacsony adalékolási koncentráció értékű P-típusú szilícium hordozón két nagy adalékkoncentráció értékű N régiót készítenek, és két elektródát húznak ki alumínium fémből, amelyek rendre d drénként, illetve s forrásként szolgálnak.
Ezután a félvezető alkatrész felületén nagyon vékony réteg szilícium-dioxid szigetelő cső takarása, a lefolyó - forrás szigetelő csőben a lefolyó és a forrás között egy másik alumínium elektróda, mint a kapu g.
A szubsztrátumban vezessen ki egy B elektródát is, amely egy N-csatornás vastag MOSFET-ből áll. A MOSFET forrás és a hordozó általában össze van kötve, a gyárban a cső túlnyomó többsége már régóta rá van kötve, kapuja és egyéb elektródái szigetelve vannak a burkolat között.
Feladás időpontja: 2024. május 26
