Field Effect Tranzisztor, rövidítve:MOSFET.Két fő típusa van: csatlakozó térhatású csövek és fém-oxid félvezető térhatású csövek. A MOSFET unipoláris tranzisztorként is ismert, és a vezetőképességben a legtöbb vivő vesz részt. Ezek feszültségvezérelt félvezető eszközök. Nagy bemeneti ellenállása, alacsony zajszintje, alacsony energiafogyasztása és egyéb jellemzői miatt erős versenytársa a bipoláris tranzisztoroknak és teljesítménytranzisztoroknak.
I. A MOSFET fő paraméterei
1, DC paraméterek
A telítettségi leeresztőáram az a leeresztőáram definiálható, amely megfelel annak, amikor a kapu és a forrás közötti feszültség egyenlő nullával, és a csatorna és a forrás közötti feszültség nagyobb, mint a lecsípő feszültség.
Csípőfeszültség UP: Az UGS, amely az ID-t kis áramerősségre csökkenti, ha az UDS biztos;
UT bekapcsolási feszültség: UGS szükséges ahhoz, hogy az azonosító egy bizonyos értékre kerüljön, ha az UDS biztos.
2, AC paraméterek
Alacsony frekvenciájú transzkonduktancia gm : Leírja a kapu és a forrásfeszültség szabályozó hatását a leeresztőáramra.
Pólusközi kapacitás: a MOSFET három elektródája közötti kapacitás, minél kisebb az érték, annál jobb a teljesítmény.
3. Limit paraméterek
Lefolyó, forrás áttörési feszültség: amikor a leeresztő áram erősen megemelkedik, az UDS hatására lavinatörést okoz.
Kapu áttörési feszültség: csomóponti térhatású cső normál működése, a kapu és a forrás a PN átmenet között fordított előfeszítési állapotban, az áram túl nagy a meghibásodáshoz.
II. JellemzőiMOSFET-ek
A MOSFET erősítő funkcióval rendelkezik, és erősített áramkört alkothat. A triódával összehasonlítva a következő jellemzőkkel rendelkezik.
(1) A MOSFET egy feszültségvezérelt eszköz, és a potenciált UGS vezérli;
(2) Az áram a MOSFET bemenetén rendkívül kicsi, ezért a bemeneti ellenállása nagyon magas;
(3) Hőmérséklet-stabilitása jó, mert a vezetőképességhez többségi hordozót használ;
(4) Erősítő áramkörének feszültségerősítési együtthatója kisebb, mint egy triódáé;
(5) Jobban ellenáll a sugárzásnak.
Harmadik,MOSFET és a tranzisztorok összehasonlítása
(1) MOSFET forrás, kapu, lefolyó és trióda forrás, alap, alapérték pólus megfelel a hasonló szerepének.
(2) A MOSFET egy feszültségvezérelt árameszköz, az erősítési együttható kicsi, az erősítési képesség gyenge; A trióda egy áramvezérelt feszültségű eszköz, erős az erősítő képessége.
(3) A MOSFET kapu alapvetően nem vesz fel áramot; és trióda működik, az alap bizonyos áramot fog elnyelni. Ezért a MOSFET kapu bemeneti ellenállása nagyobb, mint a trióda bemeneti ellenállása.
(4) A MOSFET vezető folyamatában a polytron, a triódán pedig kétféle hordozó, a polytron és az oligotron vesz részt, és az oligotron koncentrációját nagymértékben befolyásolja a hőmérséklet, sugárzás és egyéb tényezők, ezért a MOSFET jobb hőmérséklet-stabilitással és sugárzásállósággal rendelkezik, mint a tranzisztoré. A MOSFET-et akkor kell kiválasztani, ha a környezeti feltételek sokat változnak.
(5) Ha MOSFET-et csatlakoztatunk a forrásfémhez és a szubsztráthoz, a forrás és a lefolyó felcserélhető, és a jellemzők nem változnak sokat, míg a tranzisztor kollektorának és emitterének felcserélésekor a karakterisztikák és a β érték eltérőek. csökken.
(6) A MOSFET zajmutatója kicsi.
(7) A MOSFET és a trióda különféle erősítő áramkörökből és kapcsolóáramkörökből állhat, de az előbbi kevesebb energiát fogyaszt, nagy hőstabilitást, széles tápfeszültség-tartományt fogyaszt, ezért széles körben használják nagy méretű és ultranagy léptékű integrált áramkörök.
(8) A trióda bekapcsolási ellenállása nagy, a MOSFET bekapcsolási ellenállása kicsi, ezért a MOSFET-eket általában nagyobb hatásfokú kapcsolóként használják.
Feladás időpontja: 2024. május 16
