A MOSFET-eket (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tranzistor) gyakran teljesen vezérelt eszközöknek tekintik. Ennek az az oka, hogy a MOSFET működési állapotát (be vagy kikapcsolva) teljes mértékben a kapufeszültség (Vgs) szabályozza, és nem függ az alapáramtól, mint a bipoláris tranzisztor (BJT) esetében.
A MOSFET-ben a Vgs kapufeszültség határozza meg, hogy van-e vezető csatorna a forrás és a lefolyó között, valamint a vezető csatorna szélességét és vezetőképességét. Amikor a Vgs túllépi a Vt küszöbfeszültséget, a vezető csatorna kialakul, és a MOSFET bekapcsolt állapotba kerül; amikor a Vgs Vt alá esik, a vezető csatorna eltűnik, és a MOSFET levágási állapotban van. Ez a vezérlés teljesen vezérelt, mivel a kapufeszültség függetlenül és pontosan tudja szabályozni a MOSFET működési állapotát anélkül, hogy más áram- vagy feszültségparaméterekre támaszkodna.
Ezzel szemben a félig vezérelt eszközök (pl. tirisztorok) üzemállapotát nemcsak a vezérlőfeszültség vagy áramerősség befolyásolja, hanem egyéb tényezők is (pl. anódfeszültség, áramerősség stb.). Ennek eredményeként a teljesen vezérelt eszközök (pl. MOSFET-ek) általában jobb teljesítményt nyújtanak a vezérlési pontosság és rugalmasság tekintetében.
Összefoglalva, a MOSFET-ek teljesen vezérelt eszközök, amelyek működési állapotát teljes mértékben a kapufeszültség vezérli, és előnyük a nagy pontosság, a nagy rugalmasság és az alacsony energiafogyasztás.
Feladás időpontja: 2024.09.20
