Ma az általánosan használt nagy teljesítményűMOSFEThogy röviden bemutassa működési elvét. Nézze meg, hogyan valósítja meg saját munkáját.
Fém-oxid-Félvezető, azaz Fém-oxid-Félvezető, pontosan ez a név írja le a MOSFET szerkezetét az integrált áramkörben, vagyis: a félvezető eszköz egy bizonyos szerkezetében, szilícium-dioxiddal és fémmel összekapcsolva a képződés. a kapuról.
A MOSFET forrása és lefolyása ellentétes, mindkettő N-típusú zóna, amely egy P-típusú hátsó kapuban van kialakítva. A legtöbb esetben a két terület megegyezik, még ha a beállítás két vége nem is befolyásolja az eszköz teljesítményét, az ilyen eszköz szimmetrikusnak minősül.
Osztályozás: a csatorna anyagtípusa és a szigetelt kapu típusa szerint az egyes N-csatornás és P-csatornás kettő; a vezetőképes mód szerint: a MOSFET kimerítésre és javításra, így a MOSFET N-csatornás kimerítésre és javításra oszlik; P-csatorna kimerülése és négy fő kategória fokozása.
MOSFET működési elve - a szerkezeti jellemzőkMOSFETcsak egy, a vezetőben részt vevő polaritáshordozót (polys) vezet, unipoláris tranzisztor. A vezetési mechanizmus megegyezik a kis teljesítményű MOSFET-tel, de a szerkezet nagy különbséggel rendelkezik, a kis teljesítményű MOSFET egy vízszintes vezető eszköz, a legtöbb teljesítmény MOSFET függőleges vezetőszerkezet, más néven VMOSFET, ami nagyban javítja a MOSFET-et készülék feszültség- és áramtűrő képessége. A fő jellemzője, hogy a fémkapu és a csatorna között egy szilícium-dioxid szigetelőréteg van, ezért nagy a bemeneti ellenállása, a cső két nagy koncentrációban, n diffúziós zónában vezet, így n típusú vezető csatornát képez. Az n-csatornás bővítő MOSFET-eket a kapura előre előfeszített módon kell alkalmazni, és csak akkor, ha a kapuforrás feszültsége nagyobb, mint az n-csatornás MOSFET által generált vezető csatorna küszöbfeszültsége. Az n-csatornás kimerülési típusú MOSFET-ek olyan n-csatornás MOSFET-ek, amelyekben vezető csatornák jönnek létre, amikor nincs kapufeszültség (a kapuforrás feszültsége nulla).
A MOSFET működési elve az "indukált töltés" mennyiségének szabályozása VGS segítségével az "indukált töltés" által alkotott vezetőképes csatorna állapotának megváltoztatása, majd a leeresztőáram szabályozási cél elérése. A csövek gyártása során a szigetelőréteg folyamata során nagyszámú pozitív ion keletkezik, így a határfelület másik oldalán több negatív töltés indukálható, ezek a negatív töltések a szennyeződések nagymértékű behatolásához az N-ben. régióban egy vezető csatorna kialakításához kapcsolódik, még a VGS = 0-ban is nagy szivárgási áram ID. a gate feszültség megváltoztatásakor a csatornában indukált töltés mértéke is megváltozik, és a csatorna vezető csatorna szélessége és keskenysége változik, és így a szivárgó áram ID a kapufeszültséggel. áramazonosító a kapufeszültség függvényében változik.
Most az alkalmazásaMOSFETnagymértékben javította az emberek tanulását, munkavégzésének hatékonyságát, miközben javította életminőségünket. Egy egyszerű megértés révén ésszerűbben értjük ezt. Nem csak eszközként fogják használni, jobban megértjük a jellemzőit, a munka elvét, ami szintén sok szórakozást fog okozni.
Feladás időpontja: 2024.04.18
