Napjainkban a tudomány és a technológia rohamos fejlődésével egyre több iparágban alkalmazzák a félvezetőket, amelyekben aMOSFET is nagyon elterjedt félvezető eszköznek számít, a következő lépés annak megértése, hogy mi a különbség a bipoláris teljesítménykristálytranzisztor és a MOSFET kimeneti teljesítménye között.
1, a munkamódszer
MOSFET a szükséges munkát, hogy támogassák az üzemi feszültség, kapcsolási rajzok magyarázni viszonylag egyszerű, elősegíti a hatalom a kis; teljesítmény kristály tranzisztor a teljesítmény áramlását, hogy támogassák a program tervezése bonyolultabb, hogy támogassák a specifikáció a választott nehéz előmozdítani a specifikáció veszélyezteti a tápegység teljes kapcsolási sebesség.
2, a tápegység teljes kapcsolási sebessége
A hőmérséklet által érintett MOSFET kicsi, a tápegység kapcsoló kimeneti teljesítménye biztosítja, hogy több mint 150 kHz; A teljesítménykristály tranzisztornak nagyon kevés szabad töltési idejű tárolási ideje korlátozza a tápegység kapcsolási sebességét, de a kimeneti teljesítménye általában nem haladja meg az 50 kHz-et.
3. Biztonságos munkaterület
Táp MOSFET nincs másodlagos alapja, és a biztonságos munkaterület széles; A teljesítménykristály tranzisztornak másodlagos alaphelyzete van, ami korlátozza a biztonságos munkaterületet.
4. Az elektromos vezető működési követelménye üzemi feszültség
HatalomMOSFET a nagyfeszültségű típushoz tartozik, a vezetési munkaigényű üzemi feszültség magasabb, pozitív hőmérsékleti együttható van; teljesítménykristály tranzisztor, függetlenül attól, hogy mennyi pénz ellenáll a működési követelménynek, az elektromos vezetők működési követelményeinek üzemi feszültsége alacsonyabb, és negatív hőmérsékleti együtthatója van.
5, a maximális teljesítmény
Teljesítmény MOSFET a kapcsolóüzemű tápegység áramkörében a tápegység áramköri áramkör tápellátási áramköre tápegység kapcsolóként, működés közben és stabilan működik a közepén, a maximális teljesítmény áramlása alacsonyabb; és teljesítmény kristály tranzisztor működik és stabil munka a közepén, a maximális teljesítmény áramlás magasabb.
6. A termék költsége
A MOSFET energiaköltsége valamivel magasabb; a teljesítmény kristály trióda költsége valamivel alacsonyabb.
7, penetrációs hatás
A Power MOSFET-nek nincs penetrációs hatása; A teljesítménykristály tranzisztor penetrációs hatással rendelkezik.
8. Kapcsolási veszteség
A MOSFET kapcsolási vesztesége nem nagy; A teljesítménykristály tranzisztor kapcsolási vesztesége viszonylag nagy.
Ezen túlmenően, a túlnyomó többsége a hatalom MOSFET integrált lengéscsillapító dióda, míg a bipoláris teljesítmény kristály tranzisztor szinte nincs integrált lengéscsillapító dióda.MOSFET lengéscsillapító dióda is lehet egy univerzális mágnes kapcsoló tápegység áramkörök mágnestekercsek, hogy a teljesítménytényező szöge az energiaáramlás biztonsági csatornájáról. Térhatású cső a lengéscsillapító diódában a teljes kikapcsolási folyamatban az általános diódával, mint a fordított visszanyerési áram megléte, ekkor a dióda egyrészt felveszi a lefolyót - forrás pólus pozitív közepén jelentős ezzel szemben az üzemi feszültség munkaigényének emelkedése és a fordított visszaállási áram áramlása.
Feladás időpontja: 2024. május 29
