A MOSFET-ekhez általában használt áramköri szimbólumoknak számos változata létezik. A legelterjedtebb kialakítás a csatornát ábrázoló egyenes, a forrást és a lefolyót jelölő két, a csatornára merőleges vonal, valamint a bal oldali csatornával párhuzamos rövidebb, a kaput ábrázoló vonal. Néha a csatornát jelképező egyenes vonalat is szaggatott vonal helyettesíti, hogy különbséget tegyen a javítási mód közöttmosfet vagy kimerülési módú mosfet, amely szintén N-csatornás MOSFET-re és P-csatornás MOSFET-re oszlik kétféle áramkör szimbólumra az ábrán látható módon (a nyíl iránya eltérő).
A Power MOSFET-ek két fő módon működnek:
(1) Ha pozitív feszültséget adunk a D-hez és az S-hez (elvezetés pozitív, forrás negatív) és UGS=0, a PN átmenet a P testrészben és az N elvezetési tartományban fordított előfeszítés, és nincs áram a D között. és S. Ha pozitív UGS feszültséget adunk G és S közé, akkor nem folyik kapuáram, mert a kapu szigetelt, de a kapu pozitív feszültsége eltolja a lyukakat az alatta lévő P tartománytól, és a kisebbségi hordozóelektronok vonzza a P régió felületét Ha az UGS nagyobb, mint egy bizonyos UT feszültség, a kapu alatti P régió felületén az elektronkoncentráció meghaladja a lyuk koncentrációját, így a P-típusú félvezető antimintázatú réteg N-típusú félvezetővé válik. ; ez az antimintázatú réteg N-típusú csatornát képez a forrás és a lefolyó között, így a PN csomópont eltűnik, a forrás és a lefolyó vezetőképes, és a drénen átfolyik egy ID drénáram. Az UT-t bekapcsolási feszültségnek vagy küszöbfeszültségnek nevezik, és minél több UGS meghaladja az UT-t, annál vezetőbb a vezetőképesség, és annál nagyobb az ID. Minél nagyobb az UGS, mint az UT, annál erősebb a vezetőképesség, annál nagyobb az ID.
(2) Ha D, S plusz negatív feszültség (forrás pozitív, leeresztő negatív), a PN átmenet előre előfeszített, ami egy belső fordított diódával egyenértékű (nem rendelkezik gyors válaszjellemzőkkel), azaz aMOSFET nem rendelkezik fordított blokkoló képességgel, inverz vezetőképességű komponensnek tekinthető.
által aMOSFET működési elve látható, vezetése csak egy polaritású hordozó vesz részt a vezetőképes, így unipoláris tranzisztorként is ismert. A MOSFET meghajtó gyakran a tápegység IC és MOSFET paraméterei alapján választja ki a megfelelő áramkört, a MOSFET általában kapcsolásra használatos tápegység meghajtó áramkör. A MOSFET-et használó kapcsolóüzemű tápegység tervezésekor a legtöbben figyelembe veszik a MOSFET bekapcsolási ellenállását, maximális feszültségét és maximális áramát. Az emberek azonban gyakran csak ezeket a tényezőket veszik figyelembe, hogy az áramkör megfelelően működjön, de ez nem jó tervezési megoldás. A részletesebb tervezéshez a MOSFET-nek figyelembe kell vennie saját paraméterinformációit is. Határozott MOSFET esetén annak meghajtó áramköre, a hajtás kimenetének csúcsárama stb. befolyásolja a MOSFET kapcsolási teljesítményét.
Feladás időpontja: 2024. május 17
