MOSFET kiválasztás | N-Channel MOSFET építési alapelvek

A kristálytranzisztor fém-oxid-félvezető szerkezete, közismert nevénMOSFET, ahol a MOSFET-eket P-típusú MOSFET-ekre és N-típusú MOSFET-ekre osztják. A MOSFET-ekből álló integrált áramköröket MOSFET integrált áramköröknek is nevezik, a szorosan kapcsolódó MOSFET integrált áramköröket pedig PMOSFET-ekből ésNMOSFET-ek CMOSFET integrált áramköröknek nevezzük.

Egy p-típusú szubsztrátumból és két nagy koncentrációjú n-szórási területből álló MOSFET-et n-csatornának nevezzük.MOSFET, és az n-típusú vezető csatorna által okozott vezetőképes csatornát a két n-es terjedési útvonalban lévő n-es terjedési utak okozzák, amelyek nagy koncentrációjúak, amikor a cső vezet. Az n-csatornás megvastagított MOSFET-eknél az n-csatornát egy vezető csatorna okozza, ha a pozitív irányú előfeszítést a lehető legnagyobb mértékben megnöveljük a kapunál, és csak akkor, ha a kapuforrás működéséhez a küszöbfeszültséget meghaladó üzemi feszültségre van szükség. Az n-csatornás kimerítésű MOSFET-ek azok, amelyek nem állnak készen a kapufeszültségre (a kapuforrás működéséhez nulla üzemi feszültség szükséges). Az n-csatornás fénykimerülési MOSFET egy n-csatornás MOSFET, amelyben a vezető csatorna akkor keletkezik, ha a kapufeszültség (a kapuforrás működési követelményének üzemi feszültsége nulla) nincs előkészítve.

Az NMOSFET integrált áramkörök N-csatornás MOSFET tápegységek, NMOSFET integrált áramkörök, a bemeneti ellenállás nagyon nagy, a túlnyomó többségnek nem kell megemésztenie az áramfelvételt, így a CMOSFET és NMOSFET integrált áramkörök csatlakoztathatók anélkül, hogy a figyelembe kell venni az energiaáramlás terhelését.NMOSFET integrált áramkörök, a túlnyomó többsége az egycsoportos pozitív kapcsolóüzemű tápegység-áramkör kiválasztása tápáramkörök A többség Az NMOSFET integrált áramkörök egyetlen pozitív kapcsolóüzemű tápegység áramkört használnak, és több esetben 9 V-ot. A CMOSFET integrált áramköröknek csak ugyanazt a kapcsolóüzemű tápegység áramkört kell használniuk, mint az NMOSFET integrált áramköröknek, azonnal csatlakoztathatók az NMOSFET integrált áramkörökhöz. Azonban az NMOSFET-ről a CMOSFET-re azonnal csatlakozik, mivel az NMOSFET kimeneti felhúzási ellenállása kisebb, mint a CMOSFET integrált áramkör kulcsos felhúzási ellenállása, ezért próbáljon meg egy potenciálkülönbség-felhúzó ellenállást alkalmazni, az R ellenállás értéke általában 2-100 KΩ.

N-csatornás vastagított MOSFET-ek felépítése
Egy alacsony adalékolási koncentráció értékű P-típusú szilícium hordozón két nagy adalékkoncentráció értékű N régiót készítenek, és két elektródát húznak ki alumínium fémből, amelyek rendre d drénként, illetve s forrásként szolgálnak.

Ezután a félvezető alkatrész felületén nagyon vékony réteg szilícium-dioxid szigetelő cső takarása, a lefolyó - forrás szigetelő csőben a lefolyó és a forrás között egy másik alumínium elektróda, mint a kapu g.

A szubsztrátumban vezessen ki egy B elektródát is, amely egy N-csatornás vastag MOSFET-ből áll. A MOSFET forrás és a hordozó általában össze van kötve, a gyárban a cső túlnyomó többsége már régóta rá van kötve, kapuja és egyéb elektródái szigetelve vannak a burkolat között.