Hogyan működnek a MOSFET-ek?

1, MOSFETbevezetés

FieldEffect Transistor rövidítése (FET)) cím MOSFET. kis számú hordozóval, hogy részt vegyenek a hővezetésben, vagy más néven többpólusú tranzisztor. A feszültség mastering típusú félszupravezető mechanizmushoz tartozik. A kimeneti ellenállás magas (10^8 ~ 10^9Ω), alacsony zajszint, alacsony fogyasztás, statikus hatótávolság, könnyen integrálható, nincs második meghibásodási jelenség, a tengeri biztosítási feladat és egyéb előnyök, most megváltoztak az erős kollaboránsok bipoláris tranzisztorát és teljesítményátmeneti tranzisztorát.

2, MOSFET jellemzők

1, MOSFET egy feszültségvezérlő eszköz, amely a VGS (kapuforrás feszültség) vezérlési azonosítóján keresztül (DC csatorna);

2, MOSFETA kimeneti DC pólus kicsi, így a kimeneti ellenállás nagy.

3, ez egy kis számú hordozó alkalmazása a hő vezetésére, így jobb a stabilitás mértéke;

A 4. ábra az elektromos csökkentési együttható csökkentési útjából áll, amely kisebb, mint a trióda, amely a csökkentési együttható csökkentési útjából áll;

5, MOSFET sugárzás elleni képesség;

A 6. ábrán látható, hogy az oligon diszperzió hibás aktivitása hiányzik, amelyet szórt zajrészecskék okoznak, így a zaj alacsony.

3、MOSFET feladat elve

MOSFETműködési elve egy mondatban a "drain - forrás a kapu csatornáján átfolyó ID és a kapufeszültség master ID fordított előfeszítése által létrehozott pn átmenet közötti csatorna között", pontosabban az ID átfolyik a szélességen az út, azaz a csatorna keresztmetszeti területe a pn átmenet fordított torzításának változása, ami kimerítő réteget produkál A kiterjesztett variációs szabályozás oka. A VGS=0 telítetlen tengerben, mivel az átmeneti réteg tágulása nem túl nagy, a VDS mágneses mezejének összeadása szerint a drénforrás között a forrástengerben néhány elektront elhúz a drain, azaz van egy DC ID tevékenység a lefolyótól a forrásig. A kaputól a lefolyóig megnagyobbított mérsékelt réteg a csatorna egész testét blokkoló típusúvá teszi, ID full. Nevezzük ezt az űrlapot csípésnek. A DC tápellátás helyett a teljes akadály csatornájához vezető átmeneti réteget szimbolizálja.

Mivel az átmeneti rétegben nincs szabad elektronmozgás és lyukak, ideális formában szinte szigetelő tulajdonságokkal rendelkezik, és az általános áram nehezen tud folyni. De ekkor az elektromos tér a lefolyó - forrás, tulajdonképpen a két átmeneti réteg közötti érintkezési lefolyó és kapupólus között az alsó rész közelében található, mert a drift elektromos tér áthúzza a nagy sebességű elektronokat az átmeneti rétegen. A drift mező intenzitása szinte állandó, ami az ID jelenet teljességét produkálja.

Az áramkör egy továbbfejlesztett P-csatornás MOSFET és egy továbbfejlesztett N-csatornás MOSFET kombinációját használja. Ha a bemenet alacsony, a P-csatornás MOSFET vezet, és a kimenet a tápegység pozitív kapcsára csatlakozik. Ha a bemenet magas, az N-csatornás MOSFET vezet, és a kimenet a tápegység földelésére van kötve. Ebben az áramkörben a P-csatornás MOSFET és az N-csatornás MOSFET mindig ellentétes állapotban működik, fázisbemeneteik és kimeneteik felcserélve.