Útmutató a MOSFET-csomag kiválasztásához

Másodszor, a méret a rendszer korlátai

Egyes elektronikus rendszereket korlátozza a PCB mérete és a belső magasság, smint például a kommunikációs rendszerek, a moduláris tápegység a magassági korlátok miatt általában DFN5 * 6, DFN3 * 3 csomagot használ; egyes ACDC tápegységeknél az ultravékony kialakítás vagy a héj korlátai miatt a TO220-as csomag összeszerelésénél a teljesítmény MOSFET lábak közvetlenül a gyökerébe helyezve a magasságkorlátozás nem használható a TO247 csomag. Néhány ultravékony kialakítás, amely közvetlenül meghajlítja a készülék csapjait, ez a tervezési gyártási folyamat bonyolulttá válik.

Harmadszor, a cég gyártási folyamata

A TO220 kétféle csomaggal rendelkezik: csupasz fémcsomag és teljes műanyag csomag, csupasz fémcsomag hőállósága kicsi, hőelvezetési képessége erős, de a gyártási folyamatban szigetelési cseppet kell hozzáadni, a gyártási folyamat összetett és költséges, míg a teljes műanyag csomag hőállósága nagy, a hőleadó képesség gyenge, de a gyártási folyamat egyszerű.

Annak érdekében, hogy csökkentsék a mesterséges folyamat reteszelő csavarok, az elmúlt években, egyes elektronikus rendszerek segítségével klipek a hatalomMOSFET-ek befogott a hűtőbordába, hogy a megjelenése a hagyományos TO220 része a felső része a lyukak eltávolítása az új formája a tokozás, hanem csökkenti a készülék magasságát.

Negyedszer, költségkontroll

Egyes rendkívül költségérzékeny alkalmazásokban, mint például az asztali alaplapok és kártyák, általában DPAK-csomagokban lévő MOSFET-eket használnak az ilyen csomagok alacsony költsége miatt. Ezért, amikor kiválasztja a teljesítmény MOSFET csomagot, kombinálva a cég stílusával és termékjellemzőivel, és vegye figyelembe a fenti tényezőket.

Ötödször válassza ki a BVDSS ellenállási feszültséget a legtöbb esetben, mert a bemenet kialakítása voltage az elektronikus rendszer viszonylag fix, a cég valamilyen anyagszámú konkrét szállítót választott ki, a termék névleges feszültsége is rögzített.

A teljesítmény-MOSFET-ek BVDSS áttörési feszültsége az adatlapon meghatározott tesztkörülményeket határoz meg, különböző körülmények között eltérő értékekkel, és a BVDSS pozitív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik, e tényezők kombinációjának tényleges alkalmazásakor átfogóan kell figyelembe venni.

Sok információ és szakirodalom gyakran emlegeti: ha a MOSFET VDS teljesítményrendszere a legmagasabb tüskefeszültségű, ha nagyobb, mint a BVDSS, még akkor is, ha a tüske impulzus időtartama csak néhány vagy tíz ns, akkor a MOSFET teljesítménye bejut a lavinába. és így kár keletkezik.

A tranzisztorokkal és az IGBT-vel ellentétben a teljesítmény MOSFET-ek képesek ellenállni a lavinának, és sok nagy félvezető cég a MOSFET lavina energiáját a gyártósoron a teljes ellenőrzés, 100%-os észlelés, vagyis az adatokban ez egy garantált mérés, lavinafeszültség általában a BVDSS 1,2 ~ 1,3-szorosában fordul elő, és az időtartam általában μs, akár ms szint, akkor a időtartama csak néhány vagy tíz ns, sokkal alacsonyabb, mint a lavinafeszültség tüske impulzus feszültség nem károsítja a teljesítmény MOSFET.

Hat, a VTH meghajtó feszültség kiválasztásával

Különböző elektronikus rendszerek teljesítmény MOSFET kiválasztott meghajtó feszültség nem ugyanaz, AC / DC tápegység általában 12V meghajtó feszültség, a notebook alaplapi DC / DC átalakító segítségével 5V meghajtó feszültség, így a rendszer meghajtó feszültsége, hogy válasszon egy másik küszöbfeszültség VTH teljesítmény MOSFET-ek.

Az adatlapon szereplő teljesítmény-MOSFET-ek VTH küszöbfeszültsége szintén meghatározott vizsgálati feltételekkel rendelkezik, és különböző körülmények között eltérő értékekkel rendelkezik, a VTH hőmérsékleti együtthatója pedig negatív. A VGS különböző hajtásfeszültségei különböző bekapcsolási ellenállásoknak felelnek meg, és a gyakorlati alkalmazásokban fontos figyelembe venni a hőmérsékletet

A gyakorlati alkalmazásokban figyelembe kell venni a hőmérséklet-ingadozásokat annak biztosítására, hogy a tápellátás MOSFET teljesen be legyen kapcsolva, ugyanakkor biztosítani kell, hogy a leállítási folyamat során a G-pólushoz kapcsolt tüskeimpulzusokat ne váltsák ki hamis triggerelések. egyenes vagy rövidzárlatot hozzon létre.