De rol van vermogens-MOSFET-apparaten

HatalomMOSFET a "MOSFET" az angol "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Tranzistor" voorkomende osztálya. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal materialaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht kanel de pleend onhetver type N-kanaal típus en P-kanaal típus.

Power MOSFET worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-gyártó de paraméter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; Az RDS(ON) a FET áthaladásához szükséges ORing készülék. A Data Information Guide definieert RDS(ON) in relatie tot a bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) egy relatív statisztikai gegevensparameter voor voldoende gate drive.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de strroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), a MOSFET Selectie folyamatában, zijn er ook een aantal MOSFET paraméterek zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en strroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

A fenti típusú terhelési feltételekhez a nagyobb üzemi feszültség becslése (vagy mérése) után, majd 20-30%-os ráhagyás után megadható a MOSFET szükséges névleges áram VDS értéke. Itt kell elmondani, hogy a jobb költség és simább karakterisztikák érdekében a váltakozó áramú soros áramdiódákat és indukciós tekercseket fel lehet venni az áramszabályozó hurok összetételének lezárásában, kiengedve az induktív áram kinetikus energiáját, hogy fenntartsák a MOSFET. a névleges áram egyértelmű, az áramerősségre lehet következtetni. Itt azonban figyelembe kell venni két paramétert: az egyik a folyamatos üzemben lévő áram értéke és az egyszeri impulzusos áramcsúcs legmagasabb értéke (Spike és Surge), ez a két paraméter annak eldöntéséhez, hogy mennyit válasszon az áramerősség névleges értékének. aktuális érték.