WST8205 kettős N-csatornás 20V 5,8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

termékek

WST8205 kettős N-csatornás 20V 5,8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

rövid leírás:


  • Modellszám:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24 mΩ
  • ID:5.8A
  • Csatorna:Kettős N-csatorna
  • Csomag:SOT-23-6L
  • Nyári termék:A WST8205 MOSFET 20 volton működik, 5,8 amper áramot tart fenn, ellenállása pedig 24 milliohm. A MOSFET kettős N-csatornából áll, és SOT-23-6L csomagolásban van.
  • Alkalmazások:Autóelektronika, LED lámpák, audio, digitális termékek, háztartási kisgépek, szórakoztató elektronika, védőtáblák.
  • Termék részletek

    Alkalmazás

    Termékcímkék

    Általános leírás

    A WST8205 egy nagy teljesítményű N-Ch MOSFET, rendkívül nagy cellasűrűséggel, amely kiváló RDSON- és kaputöltést biztosít a legtöbb kis teljesítmény- és terheléskapcsolási alkalmazáshoz. A WST8205 teljes körű funkcionális megbízhatósági jóváhagyással teljesíti az RoHS és a Green Product követelményeit.

    Jellemzők

    Fejlett technológiánk olyan innovatív funkciókat tartalmaz, amelyek megkülönböztetik ezt a készüléket a piacon lévő többitől. A nagy cellasűrűségű árkoknál ez a technológia lehetővé teszi az alkatrészek nagyobb integrációját, ami nagyobb teljesítményt és hatékonyságot eredményez. Ennek az eszköznek az egyik figyelemre méltó előnye a rendkívül alacsony kaputöltés. Ennek eredményeként minimális energiát igényel a be- és kikapcsolt állapotok közötti váltás, ami csökkenti az energiafogyasztást és javítja az általános hatékonyságot. Ez az alacsony kaputöltési karakterisztika ideális választássá teszi olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy sebességű kapcsolást és precíz vezérlést igényelnek. Ezenkívül készülékünk kiváló a Cdv/dt hatások csökkentésében. A Cdv/dt vagy az elvezető-forrás feszültség időbeli változásának sebessége nemkívánatos hatásokat, például feszültségcsúcsokat és elektromágneses interferenciát okozhat. E hatások hatékony minimalizálásával készülékünk megbízható és stabil működést biztosít még igényes és dinamikus környezetben is. Műszaki teljesítménye mellett környezetbarát is. A fenntarthatóságot szem előtt tartva tervezték, olyan tényezőket figyelembe véve, mint az energiahatékonyság és a hosszú élettartam. Azáltal, hogy a legnagyobb energiahatékonysággal működik, ez az eszköz minimálisra csökkenti szénlábnyomát, és hozzájárul egy zöldebb jövőhöz. Összefoglalva, készülékünk a fejlett technológiát magas cellasűrűségű árkokkal, rendkívül alacsony kaputöltéssel és a Cdv/dt hatások kiváló csökkentésével kombinálja. Környezetbarát kialakításával nemcsak kiváló teljesítményt és hatékonyságot biztosít, hanem megfelel a fenntartható megoldások iránti növekvő igénynek a mai világban.

    Alkalmazások

    Nagyfrekvenciás terhelési pont szinkron Kis teljesítmény kapcsolás MB/NB/UMPC/VGA hálózati DC-DC táprendszerhez, autóelektronikához, LED lámpákhoz, audio, digitális termékekhez, háztartási kisgépekhez, fogyasztói elektronikához, védőtáblákhoz.

    megfelelő anyagszám

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Fontos paraméterek

    Szimbólum Paraméter Értékelés Egységek
    VDS Lefolyó-forrás feszültség 20 V
    VGS Kapu-forrás feszültség ±12 V
    ID@Tc=25℃ Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70 ℃ Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Impulzusos leeresztő áram 2 16 A
    PD@TA=25℃ Teljes teljesítmény disszipáció 3 2.1 W
    TSTG Tárolási hőmérséklet tartomány -55 és 150 között
    TJ Működési csomópont hőmérsékleti tartománya -55 és 150 között
    Szimbólum Paraméter Körülmények Min. Typ. Max. Egység
    BVDSS Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS hőmérsékleti együttható Referencia 25 ℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS (BE) Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2 VGS=4,5V, ID=5,5A --- 24 28
           
        VGS=2,5V, ID=3,5A --- 30 45  
    VGS(th) Kapuküszöb feszültség VGS = VDS , ID = 250uA 0.5 0.7 1.2 V
               
    △ VGS(th) VGS(th) hőmérsékleti együttható   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Lefolyó-forrás szivárgási áram VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Kapu-forrás szivárgási áram VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Kapu Ellenállás VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Teljes kaputöltés (4,5 V) VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Kapu-forrás díj --- 1.4 2.0
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.2 3.2
    Td (be) Bekapcsolási késleltetési idő VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Rise Time --- 34 63
    Td (ki) Kikapcsolási késleltetési idő --- 22 46
    Tf Őszi idő --- 9.0 18.4
    Ciss Bemeneti kapacitás VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Kimeneti kapacitás --- 69 98
    Crss Fordított átviteli kapacitás --- 61 88

  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk