WSP4016 N-csatornás 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Modellszám:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11,5 mΩ

ID:15,5A

Csatorna:N-csatornás

Csomag:SOP-8

Nyári termék:A WSP4016 MOSFET feszültsége 40V, árama 15,5A, ellenállása 11,5mΩ, a csatorna N-csatornás, a csomag pedig SOP-8.

Alkalmazások:Autóelektronika, LED lámpák, audio, digitális termékek, háztartási kisgépek, fogyasztói elektronika, védőtáblák stb.

Küldjön e-mailt nekünk PDF

Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

Általános leírás

A WSP4016 a legnagyobb teljesítményű tranch N-ch MOSFET extrém nagy cellasűrűséggel, amely kiváló RDSON- és kaputöltést biztosít a legtöbb szinkron buck konverter alkalmazáshoz. A WSP4016 megfelel az RoHS és a Green Product követelményeinek, 100%-os EAS-garanciával, teljes körű működési megbízhatósággal.

Jellemzők

Fejlett, nagy cellasűrűségű Trench technológia, szuper alacsony kaputöltés, kiváló CdV/dt hatáscsökkenés, 100% EAS garantált, zöld eszköz elérhető.

Alkalmazások

Fehér LED boost konverterek, autóipari rendszerek, ipari DC/DC átalakító áramkörök, eAutomotive elektronika, LED lámpák, audio, digitális termékek, háztartási kisgépek, fogyasztói elektronika, védőtáblák stb.

megfelelő anyagszám

AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Fontos paraméterek

Szimbólum	Paraméter	Értékelés	Egységek
VDS	Lefolyó-forrás feszültség	40	V
VGS	Kapu-forrás feszültség	±20	V
ID@TC=25℃	Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 10V1	15.5	A
ID@TC=70 ℃	Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Impulzusos leeresztő áram 2	30	A
PD@TA=25℃	Teljes teljesítmény disszipáció TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70 ℃	Teljes teljesítmény disszipáció TA=70°C	1.3	W
TSTG	Tárolási hőmérséklet tartomány	-55 és 150 között	℃
TJ	Működési csomópont hőmérsékleti tartománya	-55 és 150 között	℃

Elektromos jellemzők (TJ=25 ℃, ha nincs másképp jelezve)

Szimbólum	Paraméter	Körülmények	Min.	Typ.	Max.	Egység
BVDSS	Lefolyó-forrás áttörési feszültség	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS (BE)	Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS (BE)	Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2	VGS=4,5V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(th)	Kapuküszöb feszültség	VGS = VDS , ID = 250uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Kapu-forrás szivárgási áram	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Teljes kaputöltés (4,5 V)	VDS=20V,VGS=10V,ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Kapu-forrás díj		---	3.9	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3	---
Td (be)	Bekapcsolási késleltetési idő	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A,RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Rise Time		---	10	---
Td (ki)	Kikapcsolási késleltetési idő		---	23.6	---
Tf	Őszi idő		---	6	---
Ciss	Bemeneti kapacitás	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
Coss	Kimeneti kapacitás		---	132	---
Crss	Fordított átviteli kapacitás		---	70	---