WSM340N10G N-csatornás 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Modellszám:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Csatorna:N-csatornás

Csomag:TOLL-8L

Nyári termék:A WSM340N10G MOSFET feszültsége 100V, áramerőssége 340A, ellenállása 1,6mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja TOLL-8L.

Alkalmazások:Orvosi berendezések, drónok, PD tápegységek, LED tápegységek, ipari berendezések stb.

Küldjön e-mailt nekünk PDF

Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

Általános leírás

A WSM340N10G a legnagyobb teljesítményű N-Ch MOSFET extrém magas cellasűrűséggel, amely kiváló RDSON-t és kaputöltést biztosít a legtöbb szinkron buck konverter alkalmazáshoz. A WSM340N10G megfelel az RoHS és a Green Product követelményeinek, 100%-os EAS garantált, teljes körű működési megbízhatósággal.

Jellemzők

Fejlett, nagy cellasűrűségű Trench technológia, szuper alacsony kaputöltés, kiváló CdV/dt hatáscsökkenés, 100% EAS-garantált, zöld eszköz elérhető.

Alkalmazások

Szinkron egyenirányítás, DC/DC átalakító, terheléskapcsoló, orvosi berendezések, drónok, PD tápegységek, LED tápegységek, ipari berendezések stb.

Fontos paraméterek

Abszolút Maximális értékelések

Szimbólum	Paraméter	Értékelés	Egységek
VDS	Lefolyó-forrás feszültség	100	V
VGS	Kapu-forrás feszültség	±20	V
ID@TC=25℃	Folyamatos leeresztőáram, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100 ℃	Folyamatos leeresztőáram, VGS @ 10V	230	A
IDM	Impulzusos leeresztő áram..TC=25°C	1150	A
EAS	Lavinaenergia, Egyimpulzus, L=0,5mH	1800	mJ
IAS	Lavinaáram, egyszeri impulzus, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Teljes teljesítmény disszipáció	375	W
PD@TC=100 ℃	Teljes teljesítmény disszipáció	187	W
TSTG	Tárolási hőmérséklet tartomány	-55 és 175 között	℃
TJ	Működési csomópont hőmérsékleti tartománya	175	℃

Elektromos jellemzők (TJ=25 ℃, hacsak nincs másképp jelezve)

Szimbólum	Paraméter	Körülmények	Min.	Typ.	Max.	Egység
BVDSS	Lefolyó-forrás áttörési feszültség	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hőmérsékleti együttható	Referencia 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (BE)	Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Kapuküszöb feszültség	VGS = VDS , ID = 250uA	2.0	3.0	4.0	V
△ VGS(th)	VGS(th) hőmérsékleti együttható	VGS = VDS , ID = 250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Kapu-forrás szivárgási áram	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Kapu Ellenállás	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Teljes kaputöltés (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Kapu-forrás díj		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td (be)	Bekapcsolási késleltetési idő	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Rise Time		---	50	---
Td (ki)	Kikapcsolási késleltetési idő		---	228	---
Tf	Őszi idő		---	322	---
Ciss	Bemeneti kapacitás	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Kimeneti kapacitás		---	6160	---
Crss	Fordított átviteli kapacitás		---	220	---