WSM320N04G N-csatornás 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Általános leírás
A WSM320N04G egy nagy teljesítményű MOSFET, amely árokkialakítást használ, és nagyon magas cellasűrűséggel rendelkezik. Kiváló RDSON- és kaputöltéssel rendelkezik, és alkalmas a legtöbb szinkron buck konverter alkalmazáshoz. A WSM320N04G megfelel az RoHS és a Green Product követelményeinek, és garantáltan 100%-os EAS-val és teljes körű működési megbízhatósággal rendelkezik.
Jellemzők
Fejlett, nagy cellasűrűségű Trench technológia, miközben alacsony kaputöltéssel is rendelkezik az optimális teljesítmény érdekében. Ezenkívül kiváló CdV/dt hatáscsökkenéssel, 100%-os EAS garanciával és környezetbarát opcióval büszkélkedhet.
Alkalmazások
Nagyfrekvenciás, terhelési ponton futó szinkron átalakító, hálózati DC-DC táprendszer, elektromos kéziszerszám-alkalmazás, elektronikus cigaretta, vezeték nélküli töltés, drónok, orvosi, autós töltés, vezérlők, digitális termékek, háztartási kisgépek és fogyasztói elektronika.
Fontos paraméterek
Szimbólum | Paraméter | Értékelés | Egységek | |
VDS | Lefolyó-forrás feszültség | 40 | V | |
VGS | Kapu-forrás feszültség | ±20 | V | |
ID@TC=25℃ | Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
ID@TC=100 ℃ | Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
IDM | Impulzusos leeresztő áram 2 | 900 | A | |
EAS | Egyimpulzusos lavina energia3 | 980 | mJ | |
IAS | Lavináramlat | 70 | A | |
PD@TC=25℃ | Teljes teljesítmény disszipáció 4 | 250 | W | |
TSTG | Tárolási hőmérséklet tartomány | -55 és 175 között | ℃ | |
TJ | Működési csomópont hőmérsékleti tartománya | -55 és 175 között | ℃ |
Szimbólum | Paraméter | Körülmények | Min. | Typ. | Max. | Egység |
BVDSS | Lefolyó-forrás áttörési feszültség | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS hőmérsékleti együttható | Referencia 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
RDS (BE) | Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
RDS (BE) | Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
VGS(th) | Kapuküszöb feszültség | VGS = VDS , ID = 250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
△ VGS(th) | VGS(th) hőmérsékleti együttható | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Lefolyó-forrás szivárgási áram | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Kapu-forrás szivárgási áram | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
Rg | Kapu Ellenállás | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qg | Teljes kaputöltés (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
Qgs | Kapu-forrás díj | --- | 43 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 83 | --- | ||
Td (be) | Bekapcsolási késleltetési idő | VDD=20V, VGEN=4.5V, RG=2.7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
Tr | Rise Time | --- | 115 | --- | ||
Td (ki) | Kikapcsolási késleltetési idő | --- | 95 | --- | ||
Tf | Őszi idő | --- | 80 | --- | ||
Ciss | Bemeneti kapacitás | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
Coss | Kimeneti kapacitás | --- | 1200 | --- | ||
Crss | Fordított átviteli kapacitás | --- | 800 | --- |