WSD75N12GDN56 N-csatornás 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

termékek

WSD75N12GDN56 N-csatornás 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Alkatrészszám:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

azonosító:75A

RDSON:6 mΩ

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD75N12GDN56 MOSFET feszültsége 120V, áramerőssége 75A, ellenállása 6mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

Orvosi berendezések MOSFET, drónok MOSFET, PD tápegységek MOSFET, LED tápegységek MOSFET, ipari berendezések MOSFET.

MOSFET alkalmazási mezőkWINSOK A MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDSS

Lefolyó-forrás feszültség

120

V

VGS

Kapu-forrás feszültség

±20

V

ID

1

Folyamatos leeresztő áram (Tc=25℃)

75

A

ID

1

Folyamatos leeresztő áram (Tc=70 ℃)

70

A

IDM

Impulzusos leeresztő áram

320

A

IAR

Egyimpulzusú lavinaáram

40

A

EASa

Egyimpulzusú lavina energia

240

mJ

PD

Teljesítmény disszipáció

125

W

TJ, Tstg

Működési csomópont és tárolási hőmérséklet-tartomány

-55 és 150 között

TL

Maximális forrasztási hőmérséklet

260

RθJC

Hőállóság, csatlakozás a házhoz

1.0

℃/W

RθJA

Hőállóság, csatlakozás a környezethez

50

℃/W

 

Szimbólum

Paraméter

Tesztkörülmények

Min.

Typ.

Max.

Egységek

VDSS

Leeresztés a forrás megszakítási feszültségéhez VGS=0V, ID=250µA

120

--

--

V

IDSS

Engedje le a forrás szivárgó áramát VDS = 120V, VGS = 0V

--

--

1

µA

IGSS(F)

Kapu a forráshoz Továbbított szivárgás VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

Kapu a forráshoz fordított szivárgás VGS =-20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

Kapuküszöb feszültség VDS = VGS, ID = 250 µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(BE)1

Lefolyó-forrás On-ellenállás VGS=10V, ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

Forward Transconductance VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

Ciss

Bemeneti kapacitás VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz

--

4282

--

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

--

429

--

pF

Crss

Fordított átviteli kapacitás

--

17

--

pF

Rg

Kapu ellenállás

--

2.5

--

Ω

td(BE)

Bekapcsolási késleltetési idő

ID = 20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

Rise Time

--

11

--

ns

td(KI)

Kikapcsolási késleltetési idő

--

55

--

ns

tf

Őszi idő

--

28

--

ns

Qg

Teljes kapudíj VGS =0~10V VDS = 50VID = 20A

--

61.4

--

nC

Qgs

Kapuforrás díja

--

17.4

--

nC

Qgd

Gate Drain Charge

--

14.1

--

nC

IS

Dióda előremenő áram TC =25 °C

--

--

100

A

ISM

Dióda impulzusáram

--

--

320

A

VSD

Dióda előremenő feszültség IS=6,0A, VGS=0V

--

--

1.2

V

trr

Fordított helyreállítási idő IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

QRr

Fordított visszatérítési díj

--

250

--

nC


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk