WSD75100DN56 N-csatornás 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

termékek

WSD75100DN56 N-csatornás 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Alkatrészszám:WSD75100DN56

BVDSS:75V

azonosító:100A

RDSON:5,3 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD75100DN56 MOSFET feszültsége 75V, áramerőssége 100A, ellenállása 5,3mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

E-cigaretta MOSFET, vezeték nélküli töltés MOSFET, drónok MOSFET, orvosi ellátás MOSFET, autós töltők MOSFET, vezérlők MOSFET, digitális termékek MOSFET, háztartási kisgépek MOSFET, szórakoztató elektronikai MOSFET.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NSGPOTEN7,3BNE7NS3NS 966X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

75

V

VGS

Gate-Source Feszültség

±25

V

TJ

Maximális csomóponti hőmérséklet

150

°C

ID

Tárolási hőmérséklet tartomány

-55 és 150 között

°C

IS

Dióda folyamatos előremenő áram, TC=25°C

50

A

ID

Folyamatos leeresztőáram, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Folyamatos leeresztőáram, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Impulzusos leeresztő áram ,TC=25°C

400

A

PD

Maximális teljesítmény disszipáció, TC=25°C

155

W

Maximális teljesítmény disszipáció, TC=100°C

62

W

RθJA

Hőellenállás-Csatlakozás a környezethez ,t =10s ̀

20

°C

Hőállóság - csatlakozás a környezethez, állandó állapot

60

°C

RqJC

Hőállóság-csatlakozás a házhoz

0.8

°C

IAS

Lavinaáram, egyszeri impulzus, L=0,5 mH

30

A

EAS

Lavinaenergia, Egyimpulzus, L=0,5mH

225

mJ

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Egység

BVDSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS=0V, ID= 250 uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSHőmérséklet együttható 25. hivatkozás, ID= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (BE)

Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás2 VGS=10V, ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Kapuküszöb feszültség VGS=VDS, ID= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Hőmérséklet együttható

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Lefolyó-forrás szivárgási áram VDS=48V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Kapu-forrás szivárgási áram VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS=5V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Kapu Ellenállás VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Teljes kaputöltés (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID= 40A

---

65

85

nC

Qgs

Kapu-forrás díj

---

20

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

17

---

Td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Rise Time

---

14

26

Td (ki)

Kikapcsolási késleltetési idő

---

60

108

Tf

Őszi idő

---

37

67

Ciss

Bemeneti kapacitás VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

245

395

652

Crss

Fordított átviteli kapacitás

100

195

250


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk