WSD60N10GDN56 N-csatornás 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Termékek

WSD60N10GDN56 N-csatornás 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Rövid leírás:

Cikkszám:WSD60N10GDN56

BVDSS:100V

azonosító:60A

RDSON:8,5 mΩ

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék leírás

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD60N10GDN56 MOSFET feszültsége 100V, áramerőssége 60A, ellenállása 8,5mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

E-cigaretta MOSFET, vezeték nélküli töltés MOSFET, motorok MOSFET, drónok MOSFET, orvosi ellátás MOSFET, autós töltők MOSFET, vezérlők MOSFET, digitális termékek MOSFET, háztartási kisgépek MOSFET, szórakoztató elektronika MOSFET.

MOSFET alkalmazási mezőkWINSOK A MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET T SiR84DP,SiR87ADP.MOSFETANPHBAS3B3GGNSFNSFINEON,3GBTONSCRF1. L,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Félvezető MOSFET PDC92X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

100

V

VGS

Kapu-forrás feszültség

±20

V

ID@TC=25 ℃

Folyamatos leeresztőáram

60

A

IDP

Impulzusos leeresztő áram

210

A

EAS

Lavinaenergia, Egyimpulzus

100

mJ

PD@TC=25 ℃

Teljes teljesítmény disszipáció

125

W

TSTG

tárolási hőmérséklet-tartomány

-55 és 150 között

TJ 

Működési csomópont hőmérsékleti tartománya

-55 és 150 között

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Mértékegység

BVDSS 

Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS=0V, ID= 250 uA

100

---

---

V

  Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás VGS=10V,ID=10A.

---

8.5

10. 0

RDS (BE)

VGS=4,5V,ID=10A.

---

9.5

12. 0

VGS(th)

Kapuküszöb feszültség VGS=VDS, ID= 250 uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Lefolyó-forrás szivárgási áram VDS=80V, VGS=0 V, TJ=25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Kapu-forrás szivárgási áram VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Teljes kaputöltés (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

Kapu-forrás díj

---

6.5

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

12.4

---

Td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő VDD=50V, VGS=10V,RG=2,2Ω, ID=25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Rise Time

---

5

---

Td (ki)

Kikapcsolási késleltetési idő

---

51.8

---

Tf 

Őszi idő

---

9

---

Ciss 

Bemeneti kapacitás VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz

---

2604

---

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

---

362

---

Crss 

Fordított átviteli kapacitás

---

6.5

---

IS 

Folyamatos forrásáram VG=VD=0V, Erőáram

---

---

60

A

ISP

Impulzusforrás áram

---

---

210

A

VSD

Dióda előremenő feszültség VGS=0V, IS=12A , TJ=25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Visszaállási idő IF=12A,dl/dt=100A/µs,TJ=25 ℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

Fordított visszatérítési díj

---

106.1

---

nC


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk