WSD6070DN56 N-csatornás 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Termékek

WSD6070DN56 N-csatornás 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Rövid leírás:

Cikkszám:WSD6070DN56

BVDSS:60V

azonosító:80A

RDSON:7,3 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék leírás

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD6070DN56 MOSFET feszültsége 60V, áramerőssége 80A, ellenállása 7,3mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

E-cigaretta MOSFET, vezeték nélküli töltés MOSFET, motorok MOSFET, drónok MOSFET, orvosi ellátás MOSFET, autós töltők MOSFET, vezérlők MOSFET, digitális termékek MOSFET, háztartási kisgépek MOSFET, szórakoztató elektronika MOSFET.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

POTENS Félvezető MOSFET PDC696X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

60

V

VGS

Gate-Source Feszültség

±20

V

TJ

Maximális csomóponti hőmérséklet

150

°C

ID

tárolási hőmérséklet-tartomány

-55 és 150 között

°C

IS

Dióda folyamatos előremenő áram, TC=25°C

80

A

ID

Folyamatos leeresztőáram, VGS=10V,TC=25°C

80

A

Folyamatos leeresztőáram, VGS=10V,TC=100°C

66

A

IDM

Impulzusos leeresztő áram ,TC=25°C

300

A

PD

Maximális teljesítmény disszipáció, TC=25°C

150

W

Maximális teljesítmény disszipáció, TC=100°C

75

W

RθJA

Hőellenállás-Csatlakozás a környezethez ,t =10s ̀

50

°C/W

Hőállóság - csatlakozás a környezethez, állandó állapot

62.5

°C/W

RqJC

Hőállóság-csatlakozás a házhoz

1

°C/W

IAS

Lavinaáram, egyszeri impulzus, L=0,5 mH

30

A

EAS

Lavinaenergia, Egyimpulzus, L=0,5mH

225

mJ

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Mértékegység

BVDSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS=0V, ID= 250 uA

60

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSHőmérséklet-együttható 25. hivatkozás, ID= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (BE)

Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás2 VGS=10V, ID= 40A

---

7.0

9.0

mΩ

VGS(th)

Kapuküszöb feszültség VGS=VDS, ID= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Hőmérséklet-együttható

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Lefolyó-forrás szivárgási áram VDS=48V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Kapu-forrás szivárgási áram VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS=5V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Kapu Ellenállás VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Teljes kaputöltés (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID= 40A

---

48

---

nC

Qgs

Kapu-forrás díj

---

17

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

12

---

Td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω.

---

16

---

ns

Tr

Rise Time

---

10

---

Td (ki)

Kikapcsolási késleltetési idő

---

40

---

Tf

Őszi idő

---

35

---

Ciss

Bemeneti kapacitás VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz

---

2680

---

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

---

386

---

Crss

Fordított átviteli kapacitás

---

160

---


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk