WSD6060DN56 N-csatornás 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

termékek

WSD6060DN56 N-csatornás 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Alkatrészszám:WSD6060DN56

BVDSS:60V

azonosító:65A

RDSON:7,5 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD6060DN56 MOSFET feszültsége 60V, áramerőssége 65A, ellenállása 7,5mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

E-cigaretta MOSFET, vezeték nélküli töltés MOSFET, motorok MOSFET, drónok MOSFET, orvosi ellátás MOSFET, autós töltők MOSFET, vezérlők MOSFET, digitális termékek MOSFET, háztartási kisgépek MOSFET, szórakoztató elektronika MOSFET.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Félvezető MOSFET PDC696X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egység
Közös értékelések      

VDSS

Lefolyó-forrás feszültség  

60

V

VGSS

Kapu-forrás feszültség  

±20

V

TJ

Maximális csomóponti hőmérséklet  

150

°C

TSTG Tárolási hőmérséklet tartomány  

-55 és 150 között

°C

IS

Dióda folyamatos előremenő áram Tc=25°C

30

A

ID

Folyamatos leeresztőáram Tc=25°C

65

A

Tc=70 °C

42

I DM b

Impulzus leeresztő áram tesztelve Tc=25°C

250

A

PD

Maximális teljesítmény disszipáció Tc=25°C

62.5

W

TC=70 °C

38

RqJL

Hőállóság – ólomcsatlakozás Állandó állapot

2.1

°C/W

RqJA

Hőállóság – csatlakozás a környezethez t £ 10-es évek

45

°C/W
Állandó állapotb 

50

I AS d

Lavináram, Egyimpulzus L = 0,5 mH

18

A

E AS d

Lavinaenergia, Egyimpulzus L = 0,5 mH

81

mJ

 

Szimbólum

Paraméter

Tesztkörülmények Min. Typ. Max. Egység
Statikus jellemzők          

BVDSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS= 0 V, IDS=250mA

60

-

-

V

IDSS Nulla kapu feszültség leeresztő áram VDS=48V, VGS=0V

-

-

1

mA
         
      TJ=85 °C

-

-

30

 

VGS(th)

Kapuküszöb feszültség VDS=VGS, IDS=250mA

1.2

1.5

2.5

V

IGSS

Kapu szivárgó áram VGS=±20V, VDS=0V

-

-

±100 nA

R DS(BE) 3

Drain-Source bekapcsolt állapotú ellenállás VGS=10V, IDS=20A

-

7.5

10

m W
VGS= 4,5 V, IDS= 15 A

-

10

15

A dióda jellemzői          
V SD Dióda előremenő feszültség ISD=1A, VGS=0V

-

0,75

1.2

V

trr

Fordított helyreállítási idő

ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs

-

42

-

ns

Qrr

Fordított visszatérítési díj

-

36

-

nC
Dinamikus jellemzők3,4          

RG

Kapu Ellenállás VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz

-

1.5

-

W

Ciss

Bemeneti kapacitás VGS= 0 V,

VDS= 30 V,

F=1,0 MHz Ω

-

1340

-

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

-

270

-

Crss

Fordított átviteli kapacitás

-

40

-

td(BE) Bekapcsolási késleltetési idő VDD=30V, IDS=1A,

VGEN=10V, RG=6Ω.

-

15

-

ns

tr

Felfutási idő bekapcsolása

-

6

-

td(KI) Kikapcsolási késleltetési idő

-

33

-

tf

Kikapcsolási idő

-

30

-

A kapu töltési jellemzői 3,4          

Qg

Teljes kapudíj VDS= 30 V,

VGS= 4,5 V, IDS=20A

-

13

-

nC

Qg

Teljes kapudíj VDS=30V, VGS= 10V,

IDS=20A

-

27

-

Qgth

Kapuküszöb díj

-

4.1

-

Qgs

Kapu-forrás díj

-

5

-

Qgd

Gate-Drain Charge

-

4.2

-


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk