WSD6040DN56 N-csatornás 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

termékek

WSD6040DN56 N-csatornás 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Alkatrészszám:WSD6040DN56

BVDSS:60V

azonosító:36A

RDSON:14 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD6040DN56 MOSFET feszültsége 60V, áramerőssége 36A, ellenállása 14mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

E-cigaretta MOSFET, vezeték nélküli töltés MOSFET, motorok MOSFET, drónok MOSFET, orvosi ellátás MOSFET, autós töltők MOSFET, vezérlők MOSFET, digitális termékek MOSFET, háztartási kisgépek MOSFET, szórakoztató elektronika MOSFET.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Félvezető MOSFET PDC6964X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

60

V

VGS

Kapu-forrás feszültség

±20

V

ID

Folyamatos leeresztőáram TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Folyamatos leeresztőáram TA=25 °C

8.4

A

TA=100 °C

6.8

IDMa

Impulzusos leeresztő áram TC=25°C

140

A

PD

Maximális teljesítmény disszipáció TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Maximális teljesítmény disszipáció TA=25 °C

2.08

W

TA=70 °C

1.33

IAS c

Lavináram, Egyimpulzus

L = 0,5 mH

16

A

EASc

Egyimpulzusos lavina energia

L = 0,5 mH

64

mJ

IS

Dióda folyamatos előremenő áram

TC=25°C

18

A

TJ

Maximális csomóponti hőmérséklet

150

TSTG

Tárolási hőmérséklet tartomány

-55 és 150 között

RθJAb

Hőellenállási csatlakozás a környezethez

Állandó állapot

60

/W

RθJC

Hőállóság-csatlakozás a házhoz

Állandó állapot

3.3

/W

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Egység

Statikus        

V(BR)DSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Nulla kapu feszültség leeresztő áram

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85 °C

   

30

IGSS

Kapu szivárgó áram

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

A jellemzőkről        

VGS(TH)

Kapuküszöb feszültség

VGS = VDS, IDS = 250 µA

1

1.6

2.5

V

RDS (be)d

Drain-Source bekapcsolt állapotú ellenállás

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V, ID = 20A

  19

22

Átkapcsolás        

Qg

Teljes kapudíj

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Kapu-Sour Charge  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

9.6

 

nC

td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Felfutási idő bekapcsolása  

9

 

ns

td(ki)

Kikapcsolási késleltetési idő   58  

ns

tf

Kikapcsolási idő   14  

ns

Rg

Gat ellenállás

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamikus        

Ciss

Kapacitásban

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Kimeneti kapacitás   140  

pF

Crss

Fordított átviteli kapacitás   100  

pF

A leeresztő dióda jellemzői és maximális besorolása        

IS

Folyamatos forrásáram

VG=VD=0V , Erőáram

   

18

A

ISM

Impulzusforrás-áram3    

35

A

VSDd

Dióda előremenő feszültség

ISD = 20A, VGS = 0V

 

0.8

1.3

V

trr

Fordított helyreállítási idő

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

QRr

Fordított visszatérítési díj   33  

nC


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk