WSD40200DN56G N-csatornás 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

termékek

WSD40200DN56G N-csatornás 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Alkatrészszám:WSD40200DN56G

BVDSS:40V

azonosító:180A

RDSON:1,15 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD40120DN56G MOSFET feszültsége 40V, áramerőssége 120A, ellenállása 1,4mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

E-cigaretta MOSFET, vezeték nélküli töltés MOSFET, drónok MOSFET, orvosi ellátás MOSFET, autós töltők MOSFET, vezérlők MOSFET, digitális termékek MOSFET, háztartási kisgépek MOSFET, szórakoztató elektronikai MOSFET.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Félvezető MOSFET PDC496X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

40

V

VGS

Gate-Source Feszültség

±20

V

ID@TC=25

Folyamatos leeresztőáram, VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

Folyamatos leeresztőáram, VGS@ 10V1

82

A

IDM

Impulzusos leeresztő áram2

400

A

EAS

Egyimpulzusos lavina energia3

400

mJ

IAS

Lavináramlat

40

A

PD@TC=25

Teljes teljesítmény disszipáció4

125

W

TSTG

Tárolási hőmérséklet tartomány

-55 és 150 között

TJ

Működési csomópont hőmérsékleti tartománya

-55 és 150 között

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Egység

BVDSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS=0V, ID= 250 uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSHőmérséklet együttható 25. hivatkozás, ID= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (BE)

Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás2 VGS=10V, ID=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS (BE)

Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás2 VGS=4,5V, ID=20A

---

2.0

2.6

VGS(th)

Kapuküszöb feszültség VGS=VDS, ID= 250 uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)Hőmérséklet együttható

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Lefolyó-forrás szivárgási áram VDS=32V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Kapu-forrás szivárgási áram VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS=5V, ID=20A

---

53

---

S

Rg

Kapu Ellenállás VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Teljes kaputöltés (10V) VDS=15V, VGS=10V, ID=20A

---

45

---

nC

Qgs

Kapu-forrás díj

---

12

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

18.5

---

Td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő VDD=15V, VGEN=10V, RG=3.3Ω, ID=20A,RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Rise Time

---

9

---

Td (ki)

Kikapcsolási késleltetési idő

---

58.5

---

Tf

Őszi idő

---

32

---

Ciss

Bemeneti kapacitás VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 3972 ---

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

---

1119 ---

Crss

Fordított átviteli kapacitás

---

82

---

  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk