WSD40110DN56G N-csatornás 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Termékek

WSD40110DN56G N-csatornás 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Rövid leírás:

Cikkszám:WSD40110DN56G

BVDSS:40V

azonosító:110A

RDSON:2,5 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék leírás

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD4080DN56 MOSFET feszültsége 40V, áramerőssége 85A, ellenállása 4,5mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

Kisgépek MOSFET, kézi készülékek MOSFET, motorok MOSFET.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Félvezető MOSFET PDC496X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

40

V

VGS

Gate-Source Feszültség

±20

V

ID@TC=25 ℃

Folyamatos leeresztőáram, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100 ℃

Folyamatos leeresztőáram, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Impulzusos leeresztő áram2

100

A

EAS

Egyimpulzusos lavina energia3

110.5

mJ

IAS

Lavináram

47

A

PD@TC=25 ℃

Teljes teljesítmény disszipáció4

52.1

W

TSTG

tárolási hőmérséklet-tartomány

-55 és 150 között

TJ

Működési csomópont hőmérsékleti tartománya

-55 és 150 között

RθJA

Hőállósági csomópont-környezet1

62

/W

RθJC

Hőállósági csatlakozótok1

2.4

/W

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Mértékegység

BVDSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS (BE)

Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás2 VGS=10V, ID=10A

---

4.5

6.5

VGS=4,5V, ID=5A

---

6.4

8.5

VGS(th)

Kapuküszöb feszültség VGS = VDS , ID = 250 uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Lefolyó-forrás szivárgási áram VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Kapu-forrás szivárgási áram VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Teljes kaputöltés (4,5 V) VDS=20V, VGS=4.5V, ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Kapu-forrás díj

---

5.8

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

9.5

---

Td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő VDD=15V , VGS=10V RG=3,3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Rise Time

---

8.8

---

Td (ki)

Kikapcsolási késleltetési idő

---

74

---

Tf

Őszi idő

---

7

---

Ciss

Bemeneti kapacitás VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

2354

---

pF

Coss

Kimeneti kapacitás

---

215

---

Crss

Fordított átviteli kapacitás

---

175

---

IS

Folyamatos forrásáram1,5 VG=VD=0V, Erőáram

---

---

70

A

VSD

Dióda előremenő feszültség2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25

---

---

1

V


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk