WSD30L88DN56 kettős P-csatornás -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Modellszám:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mΩ

ID:-49A

Csatorna:Kettős P-csatorna

Csomag:DFN5*6-8

Nyári termék:A WSD30L88DN56 MOSFET feszültsége -30V, áramerőssége -49A, ellenállása 11,5 mΩ, a csatorna Dual P-csatornás, a csomag pedig DFN5*6-8.

Alkalmazások:E-cigaretta, vezeték nélküli töltés, motorok, drónok, orvosi ellátás, autós töltők, kontrollerek, digitális termékek, háztartási kisgépek, szórakoztató elektronika.

Küldjön e-mailt nekünk PDF

Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

Általános leírás

A WSD30L88DN56 a legnagyobb teljesítményű Dual P-Ch MOSFET extrém nagy cellasűrűséggel, amely kiváló RDSON-t és kaputöltést biztosít a legtöbb szinkron buck konverter alkalmazáshoz. A WSD30L88DN56 megfelel az RoHS és a Green Product követelményeinek. 100%-os EAS garantált, teljes körű működési megbízhatósággal.

Jellemzők

Fejlett, nagy cellasűrűségű ároktechnológia, szuperalacsony kaputöltés, kiváló CdV/dt hatáscsökkenés, 100%-os EAS-garantált, zöld eszköz elérhető.

Alkalmazások

Nagyfrekvenciás betöltési szinkron, Buck Converter MB/NB/UMPC/VGA-hoz, Hálózati DC-DC táprendszer, Load Switch, E-cigaretta, vezeték nélküli töltés, motorok, drónok, orvosi ellátás, autós töltők, vezérlők, digitális termékek, háztartási kisgépek, szórakoztató elektronikai cikkek.

megfelelő anyagszám

AOS

Fontos paraméterek

Szimbólum	Paraméter	Értékelés	Egységek
VDS	Lefolyó-forrás feszültség	-30	V
VGS	Kapu-forrás feszültség	±20	V
ID@TC=25℃	Folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100 ℃	Folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Impulzusos leeresztő áram 2	-120	A
EAS	Egyimpulzusos lavina energia3	68	mJ
PD@TC=25℃	Teljes teljesítmény disszipáció 4	40	W
TSTG	Tárolási hőmérséklet tartomány	-55 és 150 között	℃
TJ	Működési csomópont hőmérsékleti tartománya	-55 és 150 között	℃