WSD3023DN56 N-Ch és P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Rövid leírás:

Típusszám:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

ID:14A/-12A

Csatorna:N-Ch és P-Channel

Csomag:DFN5*6-8

Nyári termék:A WSD3023DN56 MOSFET feszültsége 30V/-30V, az áram 14A/-12A, az ellenállása 14mΩ/23mΩ, a csatorna N-Ch és P-Channel, a csomag pedig DFN5*6-8.

Alkalmazások:Drónok, motorok, autóelektronika, főbb készülékek.

Küldjön e-mailt nekünk PDF

Termék leírás

Alkalmazás

Termékcímkék

Általános leírása

A WSD3023DN56 a legnagyobb teljesítményű N-ch és P-ch MOSFET extrém nagy cellasűrűséggel, amely kiváló RDSON- és kaputöltést biztosít a legtöbb szinkron buck konverter alkalmazáshoz.A WSD3023DN56 megfelel az RoHS és a Green Product követelményeinek 100%-os EAS garantált, teljes körű működési megbízhatósággal.

Jellemzők

Fejlett nagy cellasűrűségű árok technológia, szuper alacsony kaputöltés, kiváló CdV/dt hatáscsökkenés, 100% EAS garantált, zöld eszköz elérhető.

Alkalmazások

Nagyfrekvenciás terhelési pont szinkron átalakító MB/NB/UMPC/VGA-hoz, hálózati DC-DC táprendszer, CCFL háttérvilágítású inverter, drónok, motorok, autóelektronika, főbb készülékek.

megfelelő anyagszám

PANJIT PJQ5606

Fontos paraméterek

Szimbólum	Paraméter	Értékelés		Egységek
Szimbólum	Paraméter	N-Ch	P-Ch	Egységek
VDS	Lefolyó-forrás feszültség	30	-30	V
VGS	Kapu-forrás feszültség	±20	±20	V
ID	Folyamatos leeresztőáram, VGS(NP)=10V, Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Folyamatos leeresztőáram, VGS(NP)=10V, Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP a	Impulzuslevezető áram tesztelve, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS c	Lavinaenergia, Egyimpulzus, L=0,5mH	20	20	mJ
IAS c	Lavinaáram, Egyimpulzus, L=0,5mH	9	-9	A
PD	Teljes teljesítmény disszipáció, Ta=25 ℃	5.25	5.25	W
TSTG	tárolási hőmérséklet-tartomány	-55 és 175 között	-55 és 175 között	℃
TJ	Működési csomópont hőmérsékleti tartománya	175	175	℃
RqJA b	Hőállóság – csatlakozás a környezethez, állandó állapot	60	60	℃/W
RqJC	Hőállóság – csatlakozás a házhoz, állandó állapot	6.25	6.25	℃/W

Szimbólum	Paraméter	Körülmények	Min.	Typ.	Max.	Mértékegység
BVDSS	Lefolyó-forrás áttörési feszültség	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás	VGS=10V, ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás	VGS=4,5V, ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Kapuküszöb feszültség	VGS = VDS , ID = 250 uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Kapu-forrás szivárgási áram	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Kapu Ellenállás	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Teljes kapudíj	VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Kapu-forrás díj		---	1.0	---
Qgde	Gate-Drain Charge		---	2.8	---
Td(on)e	Bekapcsolási késleltetési idő	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Rise Time		---	8.6	---
Td(off)e	Kikapcsolási késleltetési idő		---	16	---
Tfe	Őszi idő		---	3.6	---
Cisse	Bemeneti kapacitás	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Kimeneti kapacitás		---	95	---
Crsse	Fordított átviteli kapacitás		---	55	---