WSD30140DN56 N-csatornás 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

rövid leírás:

Modellszám:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7 mΩ

ID:85A

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5*6-8

Nyári termék:A WSD30140DN56 MOSFET feszültsége 30V, áramerőssége 85A, ellenállása 1,7mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5*6-8.

Alkalmazások:Elektronikus cigaretták, vezeték nélküli töltők, drónok, orvosi ellátás, autós töltők, kontrollerek, digitális termékek, kisgépek, szórakoztató elektronikai cikkek stb.

Küldjön e-mailt nekünk PDF

Termék részletek

Alkalmazás

Termékcímkék

Általános leírás

A WSD30140DN56 a legnagyobb teljesítményű N-csatornás MOSFET nagyon nagy cellasűrűséggel, amely kiváló RDSON-t és kaputöltést biztosít a legtöbb szinkron buck konverter alkalmazáshoz. A WSD30140DN56 megfelel az RoHS és a zöld termék követelményeinek, 100% EAS garancia, teljes körű működési megbízhatóság jóváhagyva.

Jellemzők

Fejlett, nagy cellasűrűségű Trench technológia, ultraalacsony kaputöltés, kiváló CdV/dt effektus csillapítás, 100%-os EAS garancia, zöld eszközök elérhetők

Alkalmazások

Nagyfrekvenciás terhelési pont szinkronizálás, bakkonverterek, hálózati DC-DC áramellátó rendszerek, elektromos szerszám alkalmazások, elektronikus cigaretta, vezeték nélküli töltés, drónok, orvosi ellátás, autótöltés, vezérlők, digitális termékek, kisgépek, fogyasztói elektronika

megfelelő anyagszám

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. NTMFS4847N-en. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Fontos paraméterek

Szimbólum	Paraméter	Értékelés	Egységek
VDS	Lefolyó-forrás feszültség	30	V
VGS	Kapu-forrás feszültség	±20	V
ID@TC=25℃	Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70 ℃	Folyamatos leeresztő áram, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Impulzusos leeresztő áram 2	300	A
PD@TC=25℃	Teljes teljesítmény disszipáció 4	50	W
TSTG	Tárolási hőmérséklet tartomány	-55 és 150 között	℃
TJ	Működési csomópont hőmérsékleti tartománya	-55 és 150 között	℃

Szimbólum	Paraméter	Körülmények	Min.	Typ.	Max.	Egység
BVDSS	Lefolyó-forrás áttörési feszültség	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hőmérsékleti együttható	Referencia 25 ℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS (BE)	Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS (BE)	Statikus leeresztési forrás bekapcsolási ellenállása2	VGS=4,5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Kapuküszöb feszültség	VGS = VDS , ID = 250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Kapu-forrás szivárgási áram	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Teljes kaputöltés (4,5 V)	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Kapu-forrás díj		---	9.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	11.4	---
Td (be)	Bekapcsolási késleltetési idő	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Rise Time		---	6	---
Td (ki)	Kikapcsolási késleltetési idő		---	38.5	---
Tf	Őszi idő		---	10	---
Ciss	Bemeneti kapacitás	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Kimeneti kapacitás		---	1280	---
Crss	Fordított átviteli kapacitás		---	160	---