WSD100N15DN56G N-csatornás 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Cikkszám:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

azonosító:100A

RDSON:6 mΩ

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8

Küldjön e-mailt nekünk PDF

Termék leírás

A WSD100N15DN56G MOSFET feszültsége 150V, árama 100A, ellenállása 6mΩ, a csatorna N-csatornás, a csomag DFN5X6-8.

Orvosi tápegységek MOSFET, PD-k MOSFET, MOSFET drónok, MOSFET elektronikus cigaretták, főbb MOSFET készülékek és MOSFET elektromos szerszámok.

Szimbólum	Paraméter	Értékelés	Egységek
VDS	Lefolyó-forrás feszültség	150	V
VGS	Kapu-forrás feszültség	±20	V
ID	Folyamatos leeresztőáram, V_GS@ 10V(T_C=25 ℃)	100	A
IDM	Impulzusos leeresztő áram	360	A
EAS	Egyimpulzusos lavina energia	400	mJ
P_D	Teljes teljesítmény disszipáció..._C=25 ℃)	160	W
RθJA	Hőellenállás, csomópont-környezet	62	℃/W
RθJC	Hőállóság, csatlakozótok	0,78	℃/W
TSTG	tárolási hőmérséklet-tartomány	-55 és 175 között	℃
T_J	Működési csomópont hőmérsékleti tartománya	-55 és 175 között	℃

Szimbólum	Paraméter	Körülmények	Min.	Typ.	Max.	Mértékegység
BV_DSS	Lefolyó-forrás áttörési feszültség	V_GS=0V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS (BE)	Statikus lefolyás-forrás bekapcsolási ellenállás²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Kapuküszöb feszültség	V_GS=V_DS, I_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Lefolyó-forrás szivárgási áram	V_DS=100V, V_GS=0 V, T_J=25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Kapu-forrás szivárgási áram	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Teljes kapudíj	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Kapu-forrás díj		---	26	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	18	---
Td (be)	Bekapcsolási késleltetési idő	V_DD= 50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	Rise Time		---	98	---
Td (ki)	Kikapcsolási késleltetési idő		---	55	---
T_f	Őszi idő		---	20	---
C_iss	Bemeneti kapacitás	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Kimeneti kapacitás		---	1730	---
C_rss	Fordított átviteli kapacitás		---	195	---