WSD100N06GDN56 N-csatornás 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Termékek

WSD100N06GDN56 N-csatornás 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Rövid leírás:

Cikkszám:WSD100N06GDN56

BVDSS:60V

azonosító:100A

RDSON:3 mΩ 

Csatorna:N-csatornás

Csomag:DFN5X6-8


Termék leírás

Alkalmazás

Termékcímkék

A WINSOK MOSFET termék áttekintése

A WSD100N06GDN56 MOSFET feszültsége 60V, áramerőssége 100A, ellenállása 3mΩ, csatorna N-csatornás, csomagja DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET alkalmazási területek

Orvosi tápegységek MOSFET, PD-k MOSFET, MOSFET drónok, MOSFET elektronikus cigaretták, főbb MOSFET készülékek és MOSFET elektromos szerszámok.

A WINSOK MOSFET más márkájú anyagszámoknak felel meg

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Félvezető MOSFET PDC692X.

MOSFET paraméterek

Szimbólum

Paraméter

Értékelés

Egységek

VDS

Lefolyó-forrás feszültség

60

V

VGS

Kapu-forrás feszültség

±20

V

ID1,6

Folyamatos leeresztőáram TC=25°C

100

A

TC=100°C

65

IDM2

Impulzusos leeresztő áram TC=25°C

240

A

PD

Maximális teljesítmény disszipáció TC=25°C

83

W

TC=100°C

50

IAS

Lavináram, Egyimpulzus

45

A

EAS3

Egyimpulzusos lavina energia

101

mJ

TJ

Maximális csomóponti hőmérséklet

150

TSTG

tárolási hőmérséklet-tartomány

-55 és 150 között

RθJA1

Hőellenállási csatlakozás a környezethez

Állandó állapot

55

/W

RθJC1

Hőállóság-csatlakozás a házhoz

Állandó állapot

1.5

/W

 

Szimbólum

Paraméter

Körülmények

Min.

Typ.

Max.

Mértékegység

Statikus        

V(BR)DSS

Lefolyó-forrás áttörési feszültség

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Nulla kapu feszültség leeresztő áram

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85 °C

   

30

IGSS

Kapu szivárgó áram

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

A jellemzőkről        

VGS(TH)

Kapuküszöb feszültség

VGS = VDS, IDS = 250 µA

1.2

1.8

2.5

V

RDS (be)2

Drain-Source bekapcsolt állapotú ellenállás

VGS = 10V, ID = 20A

 

3.0

3.6

VGS = 4,5 V, ID = 15 A

 

4.4

5.4

Átkapcsolás        

Qg

Teljes kapudíj

VDS=30V

VGS=10V

ID=20A

  58  

nC

Qgs

Kapu-Sour Charge   16  

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

4.0

 

nC

td (be)

Bekapcsolási késleltetési idő

VGEN=10V

VDD=30V

ID=20A

RG=Ω

  18  

ns

tr

Felfutási idő bekapcsolása  

8

 

ns

td(ki)

Kikapcsolási késleltetési idő   50  

ns

tf

Kikapcsolási idő   11  

ns

Rg

Gat ellenállás

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

0.7

 

Ω

Dinamikus        

Ciss

Kapacitásban

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

3458

 

pF

Coss

Kimeneti kapacitás   1522  

pF

Crss

Fordított átviteli kapacitás   22  

pF

A leeresztő dióda jellemzői és maximális besorolása        

IS1,5

Folyamatos forrásáram

VG=VD=0V , Erőáram

   

55

A

ISM

Impulzusforrás-áram3     240

A

VSD2

Dióda előremenő feszültség

ISD = 1 A, VGS = 0 V

 

0.8

1.3

V

trr

Visszaállási idő

ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

QRr

Fordított visszatérítési díj   33  

nC


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk